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IPD70N10S3L-12

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 11M-IPD70N10S3L-12
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD70N10S3L-12

IPD70N10S3L-12概述

    IPD70N10S3L-12-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    IPD70N10S3L-12-VB 是一款适用于多种电子应用的N沟道100V(D-S)功率MOSFET。这种器件主要用于开关电源和其他高效率电力转换系统中,提供快速切换和低损耗的优势。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 100V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (TC = 25°C): 85A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 280mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 176W
    - 工作结温和存储温度范围 (Tj, Tstg): -55°C 到 175°C

    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 1V 至 4V
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): 1μA
    - 开态漏电流 (ID(on)): 50A (VDS = 5V, VGS = 10V)

    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 400pF (VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 565pF
    - 反向传输电容 (Crss): 205pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 105nC (VDS = 50V, VGS = 10V)

    3. 产品特点和优势


    - 先进制造工艺: IPD70N10S3L-12-VB采用了TrenchFET® Power MOSFET技术,确保了高性能和可靠性。
    - 全面测试: 100% Rg和UIS测试,确保产品质量。
    - 宽泛的应用场景: 适用于主侧开关和隔离式DC/DC变换器。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 主要用于隔离式DC/DC转换器中的主侧开关。
    - 使用建议: 在使用过程中,应特别注意散热设计以保证可靠运行。可以采用散热片或散热器来提高热管理效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件采用TO-252封装,易于集成到各种电路板设计中。与其他标准MOSFET具有良好的兼容性。
    - 支持和维护: 通过官方技术支持热线400-655-8788获取详细的使用指导和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 低温环境下MOSFET无法正常启动。
    - 解决方案: 检查是否正确安装散热片并确保周围环境温度不低于最低要求。

    - 问题2: 高温下MOSFET过热导致损坏。
    - 解决方案: 确保有足够的散热措施,例如添加散热器和增大通风口。

    7. 总结和推荐


    IPD70N10S3L-12-VB 是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET。凭借其出色的开关特性和低导通电阻,非常适合用于高效率电力转换系统。总体来说,推荐使用这款器件以实现高效的电力管理解决方案。
    本技术手册提供了IPD70N10S3L-12-VB MOSFET的详细技术参数和使用指南,希望能帮助您更好地理解和使用该器件。

IPD70N10S3L-12参数

参数
最大功率耗散 2.5W
栅极电荷 9.3nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 20V,20V
Rds(On)-漏源导通电阻 16.4mΩ@ 9.1A,10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Id-连续漏极电流 9.1A;11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 25uA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 850pF@15V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD70N10S3L-12厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD70N10S3L-12数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD70N10S3L-12 IPD70N10S3L-12数据手册

IPD70N10S3L-12封装设计

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