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4503SS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-4503SS SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4503SS

4503SS概述

    电子元器件技术手册解析

    1. 产品简介


    本技术手册介绍了型号为4503SS-VB的N-Channel和P-Channel 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具有多种特性,适用于移动电源银行、电机驱动等领域。MOSFET是一种重要的电子元器件,因其高效率、低损耗和易于驱动等特点,在现代电力电子系统中广泛使用。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - N-Channel: 8A @ TC = 25 °C, 6.8A @ TC = 70 °C
    - P-Channel: -8A @ TC = 25 °C, -6.8A @ TC = 70 °C
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):
    - N-Channel: 3.1W
    - P-Channel: 3.2W
    - 最大热阻 (RthJA):
    - N-Channel: 50°C/W (典型值)
    - P-Channel: 47°C/W (典型值)
    - 静态参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - N-Channel: 在VGS = 10V时,0.018Ω;在VGS = 8V时,0.020Ω;在VGS = 4.5V时,0.024Ω
    - P-Channel: 在VGS = -10V时,0.040Ω;在VGS = -8V时,0.044Ω;在VGS = -4.5V时,0.050Ω
    - 动态参数
    - 开启延迟时间 (d(on)):
    - N-Channel: 4~8ns
    - P-Channel: 10~16ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):
    - N-Channel: 16~22ns
    - P-Channel: 23~26ns

    3. 产品特点和优势


    这款4503SS-VB MOSFET具备多项独特功能和优势,如采用TrenchFET®技术,确保高效能和高可靠性。同时,其符合RoHS和无卤素标准,满足环保要求。此外,该产品通过UIS测试,确保在短路等极端条件下也能正常工作,进一步提高了其市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    根据技术手册,这款MOSFET可广泛应用于电机驱动和移动电源银行。例如,在电机驱动电路中,它可以用于控制电机的正反转及调速。具体使用建议如下:
    - 选择合适的驱动电路:根据电机的额定电流和电压选择合适的驱动电路,确保MOSFET的栅极驱动电压在允许范围内。
    - 散热设计:鉴于MOSFET在工作时会产生热量,建议采用适当的散热措施,以保持其在安全的工作温度范围内运行。
    - 合理布局:在PCB设计中,将MOSFET和其他关键元器件合理布局,以减少寄生电容的影响,提高电路的整体性能。

    5. 兼容性和支持


    4503SS-VB MOSFET采用标准SO-8封装,与其他类似的MOSFET具有良好的兼容性。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品选型指南、应用笔记和技术咨询,确保用户能够顺利进行产品开发和应用。

    6. 常见问题与解决方案


    技术手册中列出了几种常见的问题及其解决方案:
    - 问题1: MOSFET工作时过热
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇。

    - 问题2: 电路出现不稳定现象
    - 解决方案: 确认驱动信号是否稳定,检查栅极电阻的阻值是否合适。

    7. 总结和推荐


    综上所述,4503SS-VB MOSFET以其高性能、高可靠性和环保特性,在多种应用领域展现出显著的优势。尤其适合于电机驱动和移动电源银行等场合。对于需要高效率和稳定性的电路设计,推荐使用这款产品。不过,使用前应详细阅读技术手册,确保正确选择和应用。

4503SS参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±20V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Id-连续漏极电流 8A
最大功率耗散 -
FET类型 N+P沟道
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.050Ω@VGS = - 4.5 V,ID = - 5 A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4503SS厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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4503SS封装设计

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