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IRF840ASTRRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,10A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
供应商型号: 14M--IRF840ASTRRPBF TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF840ASTRRPBF

IRF840ASTRRPBF概述


    产品简介


    IRF840ASTRRPBF-VB 是一款N沟道650V(D-S)功率MOSFET,适用于多种电力电子应用。这种类型的MOSFET因其低损耗和高效率而被广泛用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应系统、高强度放电(HID)照明以及荧光灯镇流器。此外,它也广泛应用于工业控制和自动化领域。

    技术参数


    - 电压等级:最大漏源电压 \( V{DS} \) 为650V。
    - 栅源电压:最大值为±30V。
    - 连续漏极电流:在最高结温150°C时,最大连续漏极电流 \( ID \) 为40A。
    - 脉冲漏极电流:单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) 为65mJ。
    - 输入电容:\( C{iss} \) 在零栅源电压 \( V{GS} = 0V \) 和100V漏源电压下,最大值为100pF。
    - 输出电容:\( C{oss} \) 最大值为70pF。
    - 栅源电荷:\( Q{gs} \) 为5nC。
    - 栅漏电荷:\( Q{gd} \) 为22nC。
    - 总栅电荷:\( Qg \) 最大值为43nC。
    - 关断延迟时间:\( t{d(off)} \) 为81至90ns。
    - 反向恢复时间:\( t{rr} \) 为345ns。
    - 反向恢复电荷:\( Q{rr} \) 为4.5μC。

    产品特点和优势


    - 低FOM:低通态电阻乘以栅电荷(\( FOM = R{DS(on)} \times Qg \)),使得导通损耗和开关损耗更低。
    - 低输入电容:低输入电容 \( C{iss} \) 有助于减少寄生效应。
    - 低栅电荷:低栅电荷 \( Qg \) 降低了驱动功率。
    - 雪崩耐受能力:具有高雪崩能量评级(\( E{AS} \)),增强了可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源系统:这类系统通常需要高效率和稳定的电源管理,IRF840ASTRRPBF-VB的高可靠性使其成为理想选择。
    - 工业应用:在工业环境中,对温度范围的要求较高。此产品可在-55°C到+150°C的温度范围内稳定工作,非常适合工业应用。
    - 开关模式电源供应(SMPS):由于其低损耗特性,它可以帮助提高电源转换效率。
    使用建议:
    - 确保散热设计良好,尤其是在高功率应用中,避免热失控。
    - 注意驱动电路的设计,确保驱动电压和电流符合要求,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此产品可以与其他标准接口和控制电路兼容。
    - 支持:厂商提供详尽的技术支持和文档,帮助用户进行产品选型和应用开发。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:开关频率过高导致过热。
    - 解决办法:优化散热设计,降低驱动频率。
    - 问题2:驱动电压不足导致MOSFET无法正常开启。
    - 解决办法:检查驱动电路设计,确保驱动电压满足要求。
    - 问题3:反向恢复时间长影响整体效率。
    - 解决办法:使用外部缓冲电路或采用更先进的驱动技术以减少反向恢复时间。

    总结和推荐


    综上所述,IRF840ASTRRPBF-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,特别适合于服务器和电信电源系统、开关模式电源、功率因数校正系统及工业应用。它的低损耗和高可靠性使其在电力电子领域具有显著的市场竞争力。鉴于其优异的性能和广泛的适用性,强烈推荐在相关项目中使用此产品。

IRF840ASTRRPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF840ASTRRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF840ASTRRPBF数据手册

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IRF840ASTRRPBF封装设计

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