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VB1102M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,2A,RDS(ON),246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOT23
供应商型号: 14M-VB1102M
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VB1102M

VB1102M概述

    VB1102M N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VB1102M 是一款高性能的N通道功率MOSFET,采用TrenchFET技术制造。其设计旨在满足多种高电流应用的需求,如DC/DC转换器、负载开关及LCD电视中的LED背光系统。该器件具备出色的开关特性和低导通电阻,能够有效提高电路效率并减少发热,广泛应用于消费电子、工业控制及通信领域。

    技术参数


    以下是VB1102M的主要技术参数列表:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | VDS | - | 100 | - | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | VGS(th) | 1.2 | 2.8 | - | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | RDS(on) | 0.240 | - | - | Ω |
    | 栅电荷(Qg) | Qg | 2.9 | 5.8 | - | nC |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻抗(RthJA) | RthJA | - | 75 | 100 | °C/W |
    此外,该器件支持的电气特性还包括脉冲漏极电流(IDM)可达7A,单脉冲雪崩能量(EAS)为1.25mJ。

    产品特点和优势


    1. 高效能:采用先进的TrenchFET结构,具有极低的导通电阻(RDS(on)),能显著降低功耗。
    2. 高可靠性:100%经过Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。
    3. 宽温域支持:能够在极端温度条件下(-55°C至+150°C)可靠工作。
    4. 快速开关性能:得益于较低的栅电荷(Qg)和短时延迟时间(td(on)、td(off)),适用于高频开关应用。
    5. 绿色环保:符合RoHS标准且无卤化物,适应环保要求。

    应用案例和使用建议


    VB1102M适用于以下典型场景:
    - DC/DC转换器:作为主开关管,提升整体转换效率。
    - 负载开关:用于电池管理系统的电源切换。
    - LCD电视LED背光系统:提供高精度和快速响应能力。
    使用建议:
    - 在设计中尽量缩短引线长度,以减少寄生电感。
    - 注意散热设计,特别是在高温环境下需要额外的冷却措施。
    - 配合驱动器使用时,选择合适的栅极电阻(Rg)以平衡速度与功耗。

    兼容性和支持


    VB1102M采用SOT-23封装,支持标准印刷电路板焊接工艺。该器件与大多数通用控制器芯片兼容,并且制造商提供了全面的技术支持,包括样品请求、技术文档下载及在线客服服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查驱动电压是否达到额定值(≥4.5V)。 |
    | 开关速度过慢 | 减少外部栅极电阻(Rg)。 |
    | 发热严重 | 添加散热片或改进PCB布局。 |

    总结和推荐


    VB1102M凭借其卓越的性能参数、紧凑的封装形式及广泛应用领域,是一款极具竞争力的N通道MOSFET。无论是追求高效率还是简化设计,VB1102M都是理想的选择。强烈推荐给需要高性能功率开关解决方案的设计工程师。
    如果您对VB1102M有任何疑问或需求,欢迎拨打服务热线:400-655-8788,我们将竭诚为您服务!

VB1102M参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 246mΩ@10V,260mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VB1102M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VB1102M数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VB1102M VB1102M数据手册

VB1102M封装设计

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