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BUK98150-55

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.53Vth(V) 封装:SOT-223
供应商型号: 14M-BUK98150-55 SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BUK98150-55

BUK98150-55概述

    BUK98150-55-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品名称:BUK98150-55-VB
    产品类型:N-Channel 60V MOSFET(场效应晶体管)
    主要功能:
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 高速开关特性
    - 集成于小型封装(SOT-223-3)
    应用领域:
    - 便携式设备的负载开关
    - 其他高效率功率转换应用

    技术参数


    以下为BUK98150-55-VB的主要技术参数:
    - 额定电压:VDS = 60 V
    - 漏源击穿电压:VDS = 60 V
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = 1.0 V (典型值)
    - 最大连续漏极电流:ID = 30 A (TJ = 25 °C)
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 75 A (TJ = 25 °C)
    - 最大功率耗散:PD = 3.0 W (TJ = 25 °C)
    - 热阻:RthJA = 40 °C/W
    - 零门电压漏极电流:IDSS = 1 µA (VDS = 60 V, VGS = 0 V)
    - 最大热阻:RthJC = 50 °C/W
    - 静态特性:RDS(on) = 0.076 Ω (VGS = 10 V, ID = 4.0 A)
    - 总门电荷:Qg = 22 nC (VDS = 30 V, VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A)

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 低导通电阻:BUK98150-55-VB 的RDS(on) 在不同电压下的表现非常优秀,如在10V下的RDS(on) 仅为0.076 Ω,在4.0A时更是达到0.085 Ω,这意味着更低的功耗和更高的效率。
    - 高可靠性:产品符合RoHS标准,且采用无卤素设计,确保环保和安全性。
    - 高速开关特性:具备快速的开关时间和较低的反向恢复时间,特别适合高频应用场合。
    - 紧凑封装:采用SOT-223-3封装,体积小,适用于空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 用于便携式设备中的负载开关,由于其低导通电阻和快速开关特性,可以有效降低功耗和提高效率。
    - 适合应用于需要高效功率转换的系统中,例如电源适配器、无线充电器等。
    使用建议:
    - 电路设计注意事项:由于其门电荷较低(Qg = 22 nC),建议选择合适的驱动电路以确保快速稳定的开关过程。
    - 散热管理:考虑到最高温度可达150°C,建议在高电流运行环境下增加适当的散热措施,如使用散热片或风扇,以防止因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - BUK98150-55-VB 具有良好的兼容性,可用于大多数常见的电子电路设计。
    - 建议用户在设计电路时参考其绝对最大额定值和其他应用注意事项,以确保安全可靠的工作环境。
    厂商支持:
    - 台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南和技术咨询。
    - 客户可以通过公司提供的服务热线400-655-8788获得技术支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 温度过热怎么办?
    - 解决方案:增加散热片或者外部冷却装置,确保工作温度不超过150°C。
    2. 电路启动困难怎么办?
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保足够的门电荷供应和正确的电压水平。
    3. 设备在高电流情况下过早失效怎么办?
    - 解决方案:重新评估散热方案,确保设备能够在允许的温度范围内稳定运行。

    总结和推荐


    综合评估:
    BUK98150-55-VB凭借其出色的低导通电阻和高效的开关特性,适用于多种高效率功率转换应用。其紧凑的封装和良好的散热能力使其成为便携式设备负载开关的理想选择。此外,产品符合RoHS和无卤素标准,确保了环保和长期可靠性。
    推荐使用:
    基于以上分析,强烈推荐BUK98150-55-VB作为高性能的N-Channel MOSFET产品,尤其适合对效率和可靠性要求较高的应用场合。

BUK98150-55参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 4.5A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

BUK98150-55厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BUK98150-55数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BUK98150-55 BUK98150-55数据手册

BUK98150-55封装设计

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