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VBMB165R07

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 14M-VBMB165R07 TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB165R07

VBMB165R07概述


    产品简介


    VBMB165R07 Power MOSFET
    VBMB165R07是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于各种高能效电源转换系统。该产品具备低导通电阻、低输入电容和出色的开关特性,使其在服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应等领域表现出色。此外,它还适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯照明等工业应用。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 4A @ VGS=10V, TC=25°C; 2.5A @ VGS=10V, TC=100°C
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1Ω @ VGS=10V, ID=4A
    - 总栅极电荷 (Qg): 16nC @ VGS=10V, ID=4A, VDS=520V
    - 栅源电荷 (Qgs): 4nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 10nC
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97mJ
    - 反向恢复时间 (trr): 190ns @ TJ=25°C, IF=IS=4A, dI/dt=100A/μs, VR=400V
    - 热阻 (RthJA): 63°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低RDS(on)值:VBMB165R07具有极低的导通电阻,减少了功率损耗。
    - 低栅极电荷:栅极电荷非常低,使得开关过程更高效。
    - 卓越的热稳定性:在宽泛的工作温度范围内,依然保持稳定的性能。
    - 快速开关特性:极低的反向恢复时间和反向恢复电荷,适合高频应用。
    - 高可靠性:通过严格的测试和质量控制,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应:VBMB165R07在高功率密度和高效率需求的应用中表现出色。
    - 荧光灯照明:在荧光灯照明系统中,VBMB165R07的低导通电阻和快速开关特性提高了整体系统的效率。
    使用建议
    - 热管理:考虑到较高的热阻,需要设计良好的散热器来确保可靠运行。
    - 电路布局:减少寄生电感,确保接地良好,以降低电磁干扰(EMI)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VBMB165R07与多种电源转换电路兼容,可用于广泛的设备和系统中。
    - 支持:VBsemi提供详细的技术文档和强大的技术支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q:VBMB165R07能否在高温环境下正常工作?
    - A: 是的,VBMB165R07可在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作。在高温环境下使用时,请确保适当的散热措施。
    2. Q:如何测量VBMB165R07的栅极电荷?
    - A: 可以使用图16所示的典型门极充电波形测试电路进行测量。确保正确连接电路并使用适当的测量工具。
    3. Q:VBMB165R07是否有反向恢复特性?
    - A: 是的,VBMB165R07具有快速的反向恢复特性,具体参数可以在技术手册的典型特性部分找到。

    总结和推荐


    VBMB165R07是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和卓越的热稳定性。这些特点使其成为各种高能效电源转换系统的理想选择。在设计时需注意热管理和电路布局,以确保最佳性能。总体而言,我们强烈推荐VBMB165R07用于各种高要求的应用场合。
    联系VBsemi获取更多详细信息和技术支持:
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

VBMB165R07参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB165R07厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB165R07数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB165R07 VBMB165R07数据手册

VBMB165R07封装设计

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