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VBL1104N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单通道 N 型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于电动车辆、工业控制、电源开关和太阳能逆变器等多个领域。100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-VBL1104N TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL1104N

VBL1104N概述


    产品简介


    VBL1104N 是一款 N 沟道 100V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有强大的性能和广泛的应用领域。这种器件采用了先进的 TrenchFET® 技术,特别适用于电源管理和高功率转换应用。VBL1104N 在高温下也能保持稳定运行,最大结温可达 175°C,同时具有低热阻封装,有助于提高系统效率和可靠性。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):TC = 25°C 时为 45 A;TC = 125°C 时为 30 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):35 A
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):127 W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):100 V
    - 门阈值电压(VGS(th)):1 至 3 V
    - 门体泄漏(IGSS):± 100 nA
    - 零门电压漏极电流(IDSS):250 µA
    - 导通状态漏极电流(ID(on)):75 A
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):3100 pF
    - 输出电容(Coss):410 pF
    - 反向传输电容(Crss):150 pF
    - 总门电荷(Qg):35 至 60 nC
    - 热阻参数
    - 结到环境热阻(RthJA):40 °C/W
    - 结到壳体热阻(RthJC):1.4 °C/W

    产品特点和优势


    VBL1104N 的主要特点包括:
    - 高性能 TrenchFET® 技术:提高开关速度和降低损耗。
    - 高温稳定性:最大结温达 175°C,适合恶劣环境。
    - 低热阻封装:提升整体系统效率和可靠性。
    - 高重复雪崩能量:适合高压开关应用。
    - 兼容 RoHS 标准:环保设计,适用于国际市场。

    应用案例和使用建议


    VBL1104N 广泛应用于各种电源管理电路中,如直流-直流转换器、电池充电器和电机驱动器。例如,在一个典型的应用中,VBL1104N 可以作为开关元件用于高压 DC-DC 转换器中。由于其优秀的热性能和低导通电阻,可以显著减少发热和提高转换效率。为了优化性能,建议在实际应用中结合合适的散热措施,确保设备在高负荷条件下也能稳定工作。

    兼容性和支持


    VBL1104N 采用 D2PAK(TO-263)封装,具有广泛的兼容性,易于与其他标准电子组件集成。厂商提供详细的安装指南和技术支持,以帮助客户顺利进行应用开发和调试。此外,厂商还提供了详尽的文档资料和常见问题解答,便于用户解决实际应用中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温环境下出现异常现象
    - 解决方案:检查设备的安装位置,确保有足够的散热措施,避免过热。如果必要,增加外部散热片或风扇来改善散热效果。
    2. 问题:设备工作过程中发热严重
    - 解决方案:确认所使用的电路板尺寸和布局是否符合规范。在实际应用中,可以调整负载和工作条件,以减少发热量。
    3. 问题:设备无法正常启动
    - 解决方案:检查供电电压和信号是否符合要求。确保所有连接正确无误,并重新配置相关参数。

    总结和推荐


    总体而言,VBL1104N 以其出色的性能和广泛的适用范围,成为电源管理和高功率转换领域的理想选择。它不仅具备优异的电气特性和稳定性,而且拥有良好的兼容性和用户支持。对于需要在高压、高温环境中工作的应用,VBL1104N 将是一个非常不错的选择。强烈推荐给寻求高效可靠电子元器件的设计者和工程师。

VBL1104N参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,34mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL1104N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL1104N数据手册

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VBL1104N封装设计

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