处理中...

首页  >  产品百科  >  VBZE80P03

VBZE80P03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: VBZE80P03 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE80P03

VBZE80P03概述

    P-Channel 30V MOSFET — VBZE80P03

    1. 产品简介


    VBZE80P03是一款P沟道MOSFET,由VBsemi公司生产。它采用TO-252封装,适用于多种电子应用领域,如电源管理、汽车电子、工业控制等。这款MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),能够在高温环境下稳定运行。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(VDS):30V
    - 门限电压(VGS(th)):-1V ~ -3V
    - 零门电压漏极电流(IDSS):-1A(最大值)
    - 导通状态漏极电流(ID(on)):-120A
    - 导通状态电阻(RDS(on)):0.009Ω(VGS=-10V,ID=-30A)
    - 电容特性:
    - 输入电容(Ciss):4000pF
    - 输出电容(Coss):1565pF
    - 反向传输电容(Crss):715pF
    - 工作环境:
    - 绝对最大额定值:栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(TJ=175°C):-70A(TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):-240A
    - 峰值雪崩电流(IAR):-60A
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C ~ 175°C
    - 热阻率:
    - 结到环境热阻(RthJA):未具体说明
    - 结到外壳热阻(RthJC):未具体说明

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)仅0.009Ω,确保高效率。
    - 宽工作温度范围:可承受-55°C至175°C的工作环境。
    - RoHS合规:符合RoHS标准,环保无铅。
    - 抗雪崩能力:可承受高达60A的峰值雪崩电流。
    - 快速开关特性:具备较快的开关速度,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在电源转换器中作为开关元件,用于直流到直流转换。
    - 在汽车电子系统中作为继电器驱动器,实现高效控制。

    - 使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高功率应用中。
    - 使用合适的驱动电路,以减少开关损耗。
    - 防止过压情况发生,确保栅极和源极间电压不超过±20V。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各种标准的PCB设计,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持信息:厂商提供详尽的技术支持,包括安装指南、数据手册及常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过热?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如添加散热片或使用散热膏。

    - 问题2:开关过程中出现过度振荡怎么办?
    - 解决方案:使用适当的栅极电阻来抑制振荡,或调整驱动信号的上升沿和下降沿时间。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VBZE80P03是一款高性能的P沟道MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用前景。其低导通电阻、宽工作温度范围和快速开关特性使其在多个行业中表现出色。总体而言,我们强烈推荐此产品用于需要高效、可靠的电力管理应用中。如果您正在寻找一款高性能、低成本且易于集成的MOSFET,VBZE80P03无疑是最佳选择之一。

VBZE80P03参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.71V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,12mΩ@4.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE80P03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE80P03数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE80P03 VBZE80P03数据手册

VBZE80P03封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.638
库存: 100
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.19
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336