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VBZM150N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-VBZM150N10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM150N10

VBZM150N10概述

    电子元器件技术手册:VBZM150N10 N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

    产品简介


    VBZM150N10 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 ThunderFET® 技术驱动,专为需要高效率和卓越可靠性的应用设计。它适用于汽车电子、工业控制、通信设备及消费电子等领域,具备低导通电阻、快速开关速度及宽广的工作温度范围(最高达 175°C)。其独特的设计使其成为功率管理和电能转换的理想选择。

    技术参数


    以下是 VBZM150N10 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(击穿电压) | VDS | 100 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(TJ=150°C) | ID | 120 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流(t=100 μs) | IDM | 480 | - | - | A |
    | 导通电阻(VGS=10V,ID=20A) | RDS(on) | - | 0.005 | - | Ω |
    | 静态阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 4 | V |
    | 栅体漏电流 | IGSS | - | - | ±250 | nA |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 μA | mA |
    | 最大功耗 | PD | 370 | - | 120 | W |
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 热阻抗:RthJA = 40°C/W,RthJC = 0.4°C/W

    产品特点和优势


    1. ThunderFET® 技术:提升开关性能,降低开关损耗。
    2. 高温稳定性:最大工作温度高达 175°C,确保在极端环境中稳定运行。
    3. 高可靠性测试:通过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,符合严格的行业标准。
    4. 低导通电阻:典型 RDS(on) 为 0.005 Ω(@ VGS=10V,ID=20A),减少功耗和热损耗。
    5. 高电流处理能力:脉冲电流能力高达 480A,满足大电流需求场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池管理系统:利用其高可靠性与低功耗特性管理电源输出。
    - 电机驱动电路:快速开关特性和高电流处理能力适用于高效电机控制。
    - 工业逆变器:适合高频开关场合,提供优秀的能量转换效率。
    使用建议
    - 在高温环境中使用时,需特别注意散热设计以维持性能稳定。
    - 应用中尽量避免超过绝对最大额定值条件,防止永久性损坏。
    - 结合热管理策略(如加装散热片或优化 PCB 布局),进一步提升整体效率和使用寿命。

    兼容性和支持


    VBZM150N10 采用 TO-220AB 封装,具有良好的通用性,可轻松适配大多数标准插座。厂商提供全面的技术支持,包括详尽的设计指南和故障排除文档,可通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的驱动电阻?
    解决方法:根据 Qg 数据选择适当的驱动电阻,一般推荐值为 1 Ω 至 3.3 Ω。
    2. 问题:高温下出现性能下降怎么办?
    解决方法:加强散热措施,如增大散热面积或改进空气流通。
    3. 问题:长时间使用后发热严重?
    解决方法:检查 PCB 设计是否合理,适当增加铜箔厚度或更换更大尺寸散热器。

    总结和推荐


    VBZM150N10 N-Channel 100V MOSFET 凭借其优异的性能、可靠的高温运行能力和广泛的应用场景,在电子元器件市场中占据重要地位。无论是工业控制还是消费电子领域,这款器件都表现出色。强烈推荐用于需要高效、紧凑和高可靠性的电力管理场景。如果您对功率器件的性能要求较高且希望降低成本,VBZM150N10 是一个理想的选择。
    最终评价:值得推荐!

VBZM150N10参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,19mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Id-连续漏极电流 120A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM150N10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM150N10数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM150N10 VBZM150N10数据手册

VBZM150N10封装设计

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