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FDD24AN06LA0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-FDD24AN06LA0 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD24AN06LA0

FDD24AN06LA0概述

    FDD24AN06LA0-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDD24AN06LA0-VB 是一款 N-Channel MOSFET,采用 TO-252 封装形式。它具备高可靠性、低导通电阻和高工作温度范围等特点,适用于各种高功率应用,如电源管理和电机控制等领域。

    2. 技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压 \( V{DS} \) 为 60 V
    - 栅极阈值电压:\( V{GS(th)} \) 为 1.23 V
    - 最大栅极漏电流:\( I{GSS} \) 为 ±100 nA
    - 最大零栅压漏电流:\( I{DSS} \) 为 1 μA
    - 最大连续漏电流(TJ = 175 °C):\( ID \) 为 60 A
    - 最大脉冲漏电流:\( I{DM} \) 为 100 A
    - 最大正向二极管电流:\( IS \) 为 50 A
    - 最大雪崩电流:\( I{AS} \) 为 50 A
    - 单次雪崩能量(占空比 ≤ 1%):\( E{AS} \) 为 125 mJ
    - 最大结到环境热阻(t ≤ 10 s):\( R{thJA} \) 为 15-18 °C/W
    - 最大结到外壳热阻:\( R{thJC} \) 为 0.85-1.1 °C/W
    - 工作温度范围:\(-55\) 至 \(175\) °C

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温性:结温可达 175 °C,确保在高温环境下仍能正常工作。
    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,减少导通电阻,提高效率。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10 V 时,\( R{DS(on)} \) 仅为 0.010 Ω;在 VGS = 4.5 V 时,\( R{DS(on)} \) 为 0.013 Ω。
    - 优异的动态特性:快速开关时间(上升时间 tr 和下降时间 tf),优化了整体性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:用于高频开关电源,如 DC-DC 转换器和电源适配器。
    - 电机控制:适用于驱动小至中型电动机。
    - 焊接设备:适合高功率焊接设备,利用其高雪崩耐受能力。
    使用建议:
    - 确保 PCB 布局合理,以减小寄生电感。
    - 使用适当的散热片,保证良好的热管理。
    - 根据应用需求选择合适的 VGS 驱动电压。

    5. 兼容性和支持


    FDD24AN06LA0-VB 与标准的 TO-252 封装兼容,方便替换现有设计中的同类器件。台湾VBsemi 提供详细的技术支持和应用指南,以帮助客户顺利集成该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查驱动电路是否合适,调整 VGS 电压。 |
    | 导通电阻异常增加 | 确认工作温度是否在额定范围内。 |
    | 短路损坏 | 检查外围电路保护措施,如保险丝或断路器。 |

    7. 总结和推荐


    FDD24AN06LA0-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有低导通电阻、高耐温性和出色的动态特性。特别适合需要高效、高可靠性的电源管理应用。建议在设计高功率系统时优先考虑此器件,以获得最佳性能和稳定性。

FDD24AN06LA0参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDD24AN06LA0厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD24AN06LA0数据手册

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FDD24AN06LA0封装设计

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