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ZXMN4A06GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),24mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);SOT223
供应商型号: 14M-ZXMN4A06GTA SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA概述


    产品简介


    ZXMN4A06GTA-VB是一款高性能N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的TrenchFET®技术,广泛应用于电源管理和控制等领域。该产品的主要特点包括无卤素材料、符合RoHS指令,以及能够在高达175°C的温度下稳定工作。ZXMN4A06GTA-VB特别适用于需要高可靠性和高性能的应用场合。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):60 V
    - 最大栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 最大连续漏电流 (ID):在TA = 25°C时为7.0 A,在TA = 70°C时为6.1 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):40 A
    - 雪崩电流 (IAS):15 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):11 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):在TA = 25°C时为3.3 W,在TA = 70°C时为2.3 W
    - 热阻 (RthJA):最大瞬态为45°C/W,稳态为90°C/W
    - 热阻 (RthJF):最大值为20°C/W
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10 V,ID = 6.0 A,TJ = 25°C时为0.028Ω;在VGS = 10 V,ID = 6.0 A,TJ = 175°C时为0.040Ω
    - 正向二极管电压 (VSD):IS = 1.7 A,VGS = 0 V时为0.8 V到1.2 V

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21定义,环保友好。
    2. TrenchFET®技术:提高了开关速度和降低了导通电阻。
    3. 高温耐受性:最高结温可达175°C,适合恶劣的工作环境。
    4. 符合RoHS指令:确保产品对环境友好且对人体无害。
    5. 低导通电阻:在多种工作条件下具有优异的导电性能。

    应用案例和使用建议


    ZXMN4A06GTA-VB常用于直流-直流转换器、电机驱动、LED照明和电源管理等领域。为了最大化其性能,建议在设计电路时:
    - 确保散热良好,以避免过热问题。
    - 使用适当的栅极电阻以减少电磁干扰。
    - 避免长时间处于极端工作条件,以免影响寿命。

    兼容性和支持


    ZXMN4A06GTA-VB与多种标准封装和安装方式兼容,如SOT-223。VBsemi提供全面的技术支持,包括产品咨询、应用指南和技术文档,确保客户能够正确使用产品并解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确焊接ZXMN4A06GTA-VB?
    - 解决方案:使用适当的焊锡温度和时间,确保焊点牢固且不会损坏芯片。
    2. 问题:如何防止过热?
    - 解决方案:使用散热片或强制风冷系统,并确保良好的散热路径。
    3. 问题:如何降低电磁干扰?
    - 解决方案:使用适当的栅极电阻和去耦电容,并保持走线尽可能短。

    总结和推荐


    ZXMN4A06GTA-VB是一款高性能、高可靠性、低功耗的N沟道60V MOSFET,适用于多种工业应用。其优秀的性能和广泛应用使它在市场上具有很强的竞争力。如果您正在寻找一款能够应对各种苛刻工作环境的高性能MOSFET,ZXMN4A06GTA-VB无疑是一个值得考虑的选择。强烈推荐此产品给需要高性能和高可靠性的工程师和设计师们。

ZXMN4A06GTA参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ@ 10V,1A
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 -
最大功率耗散 3.3W
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMN4A06GTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN4A06GTA数据手册

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ZXMN4A06GTA封装设计

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