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ZXMC6A09DN8TC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: ZXMC6A09DN8TC SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMC6A09DN8TC

ZXMC6A09DN8TC概述

    ZXMC6A09DN8TC-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZXMC6A09DN8TC-VB 是一款高性能的N-通道和P-通道60V MOSFET,采用TrenchFET®技术制造。该器件在多种应用中表现出色,特别是在CCFL逆变器和其他高可靠性要求的应用中。该产品设计用于广泛的工作温度范围,并提供出色的热阻抗,以确保在苛刻条件下的稳定运行。

    技术参数


    - 电压特性
    - 漏源击穿电压(VDS): 60V(N-通道),-60V(P-通道)
    - 门限电压(VGS): ±20V
    - 门源泄漏电流(IGSS): N-通道和P-通道均≤100nA
    - 零门限漏电流(IDSS): N-通道和P-通道均≤1μA
    - 电流特性
    - 持续漏极电流(TJ = 150°C):
    - N-通道: 4.3A(TA = 25°C)
    - P-通道: 4.2A(TA = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(10μs脉冲宽度):
    - N-通道: 4.0A(TA = 25°C)
    - P-通道: 3.4A(TA = 25°C)
    - 电阻特性
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - N-通道: 0.026Ω(VGS = 10V)
    - P-通道: 0.049Ω(VGS = -10V)
    - 电容特性
    - 输入电容(Ciss): N-通道665pF,P-通道650pF
    - 输出电容(Coss): N-通道75pF,P-通道95pF
    - 反向转移电容(Crss): N-通道40pF,P-通道60pF
    - 动态特性
    - 门电荷(Qg):
    - N-通道: 6nC(VGS = 10V)
    - P-通道: 8nC(VGS = -10V)
    - 开关延迟时间(td(on)/td(off)):
    - N-通道: 开启延迟时间为15ns,关闭延迟时间为15ns
    - P-通道: 开启延迟时间为30ns,关闭延迟时间为40ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)): 提供了出色的能效和热管理能力。
    - 高可靠性: 通过100% Rg和UIS测试验证。
    - 宽工作温度范围: -55°C到150°C,适应各种极端环境。
    - 无卤素材料: 符合IEC 61249-2-21标准,符合环保要求。
    - 快速开关特性: 适合高频应用,减少了能量损耗。

    应用案例和使用建议


    ZXMC6A09DN8TC-VB 在CCFL逆变器和其他功率转换应用中表现优异。例如,在高效率逆变器中,该器件可以减少能源损耗,提高系统的整体效率。建议在设计电路时充分考虑散热问题,以避免过热导致的性能下降。
    - 设计建议:
    - 使用适当的PCB布局,确保良好的散热效果。
    - 选择合适的栅极驱动器,以减少开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,考虑增加外部散热片或风扇。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准SO-8封装兼容,适用于广泛的应用场景。
    - 技术支持: 提供详尽的技术手册和应用指南,支持客户进行系统集成和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下,MOSFET过热导致性能下降。
    - 解决方案: 增加散热片,或者在电路设计中添加散热管理措施。

    - 问题: 门源泄漏电流过大。
    - 解决方案: 检查电路连接,确保没有短路或接触不良的情况。

    总结和推荐


    ZXMC6A09DN8TC-VB 是一款具有卓越性能和可靠性的MOSFET器件。其低导通电阻、高可靠性和宽工作温度范围使其成为广泛应用的理想选择。无论是CCFL逆变器还是其他高可靠性要求的应用,这款器件都表现出色。强烈推荐使用ZXMC6A09DN8TC-VB来提升系统的性能和效率。

ZXMC6A09DN8TC参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 N 0.035Ω@VGS = 4.5 V,ID = 3.9 A(typ);P 0.07Ω@VGS = -4.5 V,ID = -0.2 A(typ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5.3A,-4.9A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 ±60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V(N),-3V(P)
FET类型 N+P沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMC6A09DN8TC厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMC6A09DN8TC数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMC6A09DN8TC ZXMC6A09DN8TC数据手册

ZXMC6A09DN8TC封装设计

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