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IRF644PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V);TO220
供应商型号: 14M-IRF644PBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF644PBF

IRF644PBF概述

    IRF644PBF-VB 功率MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF644PBF-VB 是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有多种动态特性。它主要用于各种电源管理和电机控制应用中,适用于需要快速开关、高可靠性的电路设计。

    技术参数


    - 基本规格
    - 额定电压:\( V{DS} \) = 250 V
    - 最大漏极电流:\( ID \) = 14 A(TC = 25°C), \( ID \) = 8.5 A(TC = 100°C)
    - 导通电阻:\( R{DS(on)} \) = 0.052 Ω(VGS = 10 V, ID = 8.4 A)
    - 动态特性
    - 输入电容:\( C{iss} \) = 1300 pF(VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容:\( C{oss} \) = 330 pF
    - 传输电容:\( C{rss} \) = 85 pF
    - 总栅极电荷:\( Qg \) = 68 nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压:\( V{DS} \) = 250 V
    - 源门电压:\( V{GS} \) = ±20 V
    - 脉冲漏极电流:\( I{DM} \) = 56 A(脉冲宽度 ≤ 300 μs,占空比 ≤ 2%)
    - 单脉冲雪崩能量:\( E{AS} \) = 550 mJ
    - 最大功耗:\( PD \) = 125 W(TC = 25°C)
    - 热阻参数
    - 结到环境的最大热阻:\( R{thJA} \) = 62 °C/W
    - 结到外壳的最大热阻:\( R{thJC} \) = 1.0 °C/W

    产品特点和优势


    - 动态dV/dt额定值:能够承受较高的电压变化率,适合高速开关应用。
    - 重复雪崩额定值:具有高可靠性,能够在高压环境下稳定工作。
    - 快速开关:可以实现高频开关,适用于高性能的电源转换电路。
    - 易并联:多个MOSFET易于并联,便于扩展电流处理能力。
    - 简单的驱动要求:降低了外部驱动电路的设计复杂度。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于电动机驱动、电源转换器、DC-DC转换器等领域。
    - 使用建议:为了提高系统效率和可靠性,在使用时应注意散热设计,特别是在高功率应用中,应选用合适的散热器来保证MOSFET正常工作。此外,要确保驱动电路的稳定性,避免过高的驱动电压导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF644PBF-VB 可与其他标准的N沟道MOSFET一起使用,且支持标准的TO-220封装。
    - 厂商支持:由台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务。如需更多帮助,可联系服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何测试MOSFET的开关时间?
    - A: 使用标准的开关时间测试电路,如图10a所示,通过测量延迟时间和上升时间来确定开关特性。
    2. Q: 如何避免MOSFET的热失控?
    - A: 在设计中考虑合理的散热措施,如增加散热片或使用热导胶。同时,确保电源供应和负载匹配良好,以减少内部发热。

    总结和推荐


    IRF644PBF-VB 功率MOSFET是一款高度可靠的高性能器件,适用于各种高电流和高频率的应用场合。其快速开关特性、重复雪崩额定值和简单驱动要求使其在市场上具备很强的竞争优势。因此,对于需要高性能MOSFET的应用,强烈推荐使用IRF644PBF-VB。

IRF644PBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRF644PBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF644PBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF644PBF IRF644PBF数据手册

IRF644PBF封装设计

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