处理中...

首页  >  产品百科  >  VBFB1203M

VBFB1203M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,320mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-VBFB1203M
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB1203M

VBFB1203M概述

    VBFB1203M N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBFB1203M 是一款由台湾VBsemi公司生产的 N-Channel 200V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具备高性能、高可靠性及良好的热稳定性,适用于多种电子设备中的功率开关应用。这款 MOSFET 特别适合用于原边侧开关,是电源转换和电机控制等应用的理想选择。

    技术参数


    以下是VBFB1203M的关键技术参数:
    - 电压参数
    - 漏源电压(VDS):200V
    - 门源电压(VGS):±20V
    - 额定连续漏极电流(TJ=175°C):8A(TC=25°C时)
    - 脉冲漏极电流(IDM):25A
    - 单脉冲雪崩能量(L=0.1mH):18mJ
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.2Ω(VGS=10V时)
    - 零门电压漏极电流(IDSS):1μA(VDS=200V时)
    - 温度参数
    - 最大工作结温(TJ):175°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 175°C
    - 其他参数
    - 驱动电阻(Rg):0.5至2.9Ω
    - 输入电容(Ciss):800pF(VGS=0V,VDS=25V时)
    - 输出电容(Coss):100pF
    - 反向传输电容(Crss):50pF

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET: 采用先进的沟槽技术,具有出色的导电性和低导通电阻。
    2. 175°C 工作温度: 高温工作能力使得该 MOSFET 在严苛环境下仍能稳定运行。
    3. PWM 优化设计: 适用于脉宽调制应用,提高系统效率。
    4. RoHS 合规: 符合环保标准,安全可靠。
    5. 100% Rg 测试: 确保每颗芯片的质量,避免因参数差异导致的应用问题。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换器: 作为主开关,实现高效能转换。
    - 电机驱动: 提供稳定的电流输出,增强电机性能。
    - 通信设备: 提升信号传输质量和效率。
    使用建议
    - 散热管理: 尽量避免过热,使用散热片或风扇辅助散热,特别是在高温环境下。
    - 负载管理: 根据实际应用需求调整工作参数,以确保系统稳定运行。
    - EMI抑制: 在电路设计时考虑电磁干扰抑制措施,如增加滤波器等。

    兼容性和支持


    VBFB1203M 支持广泛的应用环境,与大多数电源管理和电机控制系统兼容。台湾VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的产品文档、应用指南和技术咨询等。如果您在使用过程中遇到任何问题,可以联系服务热线400-655-8788获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何防止过热?
    - 解决方案: 使用散热片或风扇辅助散热,确保设备处于安全工作温度范围内。
    2. 问题: 如何优化系统效率?
    - 解决方案: 调整门极驱动电阻(Rg),以获得最佳工作状态。
    3. 问题: 如何减少电磁干扰?
    - 解决方案: 增加滤波器或磁珠等电磁干扰抑制元件。

    总结和推荐


    VBFB1203M N-Channel 200V MOSFET 在各方面表现优异,具备高可靠性、高效的转换能力和宽广的工作温度范围。无论是用于电源转换还是电机控制,VBFB1203M 都是一款值得信赖的选择。强烈推荐使用 VBFB1203M,特别是在要求高性能和高可靠性的场合。

VBFB1203M参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,320mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB1203M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB1203M数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB1203M VBFB1203M数据手册

VBFB1203M封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.1315
库存: 50
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.65
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831