处理中...

首页  >  产品百科  >  RU3560L

RU3560L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-RU3560L TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RU3560L

RU3560L概述

    RU3560L-VB N-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    RU3560L-VB 是一款 N-Channel 40V(漏-源电压)TrenchFET® 功率 MOSFET,适用于 OR-ing 和服务器等应用。这种 MOSFET 具有低导通电阻、高电流承载能力以及优良的热性能,非常适合于高可靠性要求的应用场合。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏-源电压 | VDS | 40 | V |
    | 栅-源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | TC=70°C时 45 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 3 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 94.8 | mJ |
    特性规格(TJ = 25°C)
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏-源击穿电压 | VDS | VGS=0V,ID=250μA | 40 V |
    | 栅-源阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.5 | 2.5 | V |
    | 导通漏电流(漏-源) | ID(on) | VDS≥5V,VGS=10V 90 | A |
    | 导通电阻(漏-源) | RDS(on) | VGS=10V,ID=3A | 0.012 Ω |

    产品特点和优势


    RU3560L-VB 的主要优势包括:
    - TrenchFET® 技术:提供更低的导通电阻和更高的电流承载能力。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量和可靠性。
    - 符合 RoHS 指令:环保无铅。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - OR-ing:用于电源切换和保护电路。
    - 服务器:提高电源转换效率和稳定性。
    使用建议
    在选择合适的栅源电压(VGS)时,建议保持在 10V 左右以获得最佳的导通电阻(RDS(on))。同时,考虑外部散热措施以保持温度在安全范围内。

    兼容性和支持


    RU3560L-VB 封装为 TO-252,适合表面贴装,易于集成到多种 PCB 设计中。厂商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、样本测试和售后技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不足导致过温 | 添加散热片或采用更大的 PCB 面积进行散热。 |
    | RDS(on) 较高影响效率 | 调整栅源电压至 10V 以降低导通电阻。 |
    | 外部电容引起的振铃现象 | 在电路设计中增加缓冲电路或减小外接电容。 |

    总结和推荐


    RU3560L-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适用于需要低导通电阻和高电流承载能力的应用场合。其出色的热管理和紧凑的封装使其成为电力转换和服务器应用的理想选择。因此,强烈推荐使用这款 MOSFET。

RU3560L参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 100W
Rds(On)-漏源导通电阻 0.014Ω(typ) VGS = 4.5 V,ID = 37 A
Id-连续漏极电流 55A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RU3560L厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RU3560L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RU3560L RU3560L数据手册

RU3560L封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.0733
库存: 200
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.36
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504