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VBQA1806

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,60A,RDS(ON),6.1mΩ@10V,7.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: 14M-VBQA1806 QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBQA1806

VBQA1806概述

    VBQA1806 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBQA1806 是一款由VBsemi公司生产的 N-Channel MOSFET,具有80V(漏源)电压额定值。该产品主要用于电源管理和电机控制等领域。它适用于各种电力转换应用,如主边开关、同步整流和直流/交流逆变器。

    2. 技术参数


    以下是VBQA1806的关键技术参数:
    - 电压额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 80 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25 °C: 60 A
    - TC = 70 °C: 23.8 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 35 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 61 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25 °C: 104 W
    - TC = 70 °C: 66.6 W
    - 绝对最大工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境的热阻抗 (RthJA): 15°C/W (最大)
    - 最大结到外壳的热阻抗 (RthJC): 0.9°C/W (最大)
    - 电容参数:
    - 输入电容 (Ciss): 2800 pF (典型值)
    - 输出电容 (Coss): 1100 pF (典型值)
    - 反向传输电容 (Crss): 93 pF (典型值)
    - 动态参数:
    - 转换增益 (gfs): 68 S (典型值)
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = 40 V, VGS = 10 V: 57 nC (典型值)
    - VDS = 40 V, VGS = 7.5 V: 42 nC (典型值)
    - 开启延迟时间 (td(on)): 918 ns (典型值)
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 34 ns (典型值)
    - 下降时间 (tf): 714 ns (典型值)

    3. 产品特点和优势


    VBQA1806的主要特点和优势如下:
    - 使用TrenchFET®技术,确保高可靠性。
    - 经过100%的Rg和UIS测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 高效的热管理,确保长期稳定运行。
    - 宽泛的工作温度范围,使其适用于各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    VBQA1806通常应用于电源管理和电机控制领域,例如:
    - 作为主边开关用于DC/DC转换器中。
    - 在同步整流电路中提供高效的能量转换。
    - 用于各类逆变器中实现高效能转换。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,建议将VBQA1806安装在1英寸×1英寸的FR4板上。
    - 在重新焊接过程中,不推荐使用烙铁手工焊接,因为这是无铅组件,可能会导致焊料填充不足。

    5. 兼容性和支持


    VBQA1806与多种电子元器件和设备兼容,适合广泛的应用场合。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括产品手册和技术文档。客户还可以通过400-655-8788热线获取更多帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见的问题及解决方案如下:
    - 问题: 手工焊接时出现焊料填充不足。
    - 解决方案: 推荐使用回流焊接工艺以确保焊料填充均匀。
    - 问题: 设备在高温环境下运行时温度过高。
    - 解决方案: 增加散热片或改进散热设计,以降低设备工作温度。

    7. 总结和推荐


    总体而言,VBQA1806是一款高性能的N-Channel MOSFET,具有优异的性能和可靠性。它的广泛适用性及其高效能使其成为许多电力管理和电机控制应用的理想选择。强烈推荐在相关领域的产品设计中采用这款产品。

VBQA1806参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 6.1mΩ@10V,7.2mΩ@4.5V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBQA1806厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBQA1806数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBQA1806 VBQA1806数据手册

VBQA1806封装设计

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