处理中...

首页  >  产品百科  >  BSC054N04NS G

BSC054N04NS G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: DFN8(5X6);N—Channel沟道,40V;75A;RDS(ON)=4.7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.9V;
供应商型号: 14M-BSC054N04NS G DFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BSC054N04NS G

BSC054N04NS G概述

    # BSC054N04NS G-VB N-Channel 40V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    BSC054N04NS G-VB 是一款N沟道40V的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻、高可靠性等特点。它主要应用于笔记本电脑核心处理器(Core)、电压调节模块(VRM)和电源管理等领域。

    技术参数


    以下是BSC054N04NS G-VB的关键技术参数,方便用户快速了解其性能指标:
    | 参数 | 数值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 40 | V |
    | 漏极连续电流 (ID) | 70 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 120 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 (EAS) | 47.2 | mJ |
    | 门源泄漏电流 (IGSS) | ±100 | nA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.0050 | Ω @ VGS = 10V, ID = 32A |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 67 | nC |
    | 最大结温 (TJ) | 175 | °C |
    | 最大存储温度 (Tstg) | -55 to 175 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET®技术:通过深沟槽工艺实现更低的导通电阻,提高了整体效率。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保了其在严苛环境下的可靠性能。
    - 宽工作温度范围:-55°C到175°C,适用于广泛的环境条件。
    市场竞争力
    - 低功耗设计:BSC054N04NS G-VB 的低导通电阻使其在高电流应用中表现出色,减少功耗,提升系统效率。
    - 多功能性:广泛适用于笔记本电脑核心处理器、VRM/POL等关键应用领域。

    应用案例和使用建议


    实际应用案例
    - 笔记本电脑核心处理器:由于其高效的功率管理和低功耗,这款MOSFET非常适合用于笔记本电脑的核心处理器供电。
    - VRM/POL:在电压调节模块中,它可以提供稳定可靠的电力输出,确保设备正常运行。
    使用建议
    - 在高功率应用中,建议考虑散热措施以确保器件的稳定性和延长使用寿命。
    - 为避免过压问题,建议在电路设计时加入适当的保护电路。

    兼容性和支持


    - 兼容性:BSC054N04NS G-VB 与其他标准MOSFET产品兼容,便于替换和升级。
    - 厂商支持:VBsemi提供专业的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档和在线咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:最大结温过高
    - 解决方法:使用散热片或其他散热措施降低工作温度。
    2. 问题:功耗过大
    - 解决方法:优化电路设计,增加并联MOSFET数量或采用更高能效的组件。
    3. 问题:启动延迟时间较长
    - 解决方法:调整驱动电路,减少栅极电阻以加快开关速度。

    总结和推荐


    综合评估
    BSC054N04NS G-VB是一款高效、可靠的N沟道40V MOSFET,特别适用于笔记本电脑核心处理器和电压调节模块等应用。其独特的TrenchFET®技术和低导通电阻使其在市场上具备显著的竞争优势。
    推荐使用
    鉴于其优异的性能和广泛的适用性,强烈推荐在高效率要求的应用中选用BSC054N04NS G-VB。若需进一步了解具体细节或技术支持,可联系VBsemi的客户服务团队。

BSC054N04NS G参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.006Ω@VGS = 4.5 V,ID = 29 A
最大功率耗散 100W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

BSC054N04NS G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BSC054N04NS G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BSC054N04NS G BSC054N04NS G数据手册

BSC054N04NS G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.1445
库存: 47
起订量: 5 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 10.72
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336