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VBL1615

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263 由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: VBL1615 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL1615

VBL1615概述

    # VBL1615 N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    VBL1615 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种高压、高温和大电流应用。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,具有卓越的开关特性和低导通电阻(RDS(on))。这款 MOSFET 能够承受高达 175°C 的结温,使其非常适合严苛的工作环境。
    主要功能
    - 极高的耐温范围:-55°C 至 175°C
    - 高电流处理能力:最大连续漏极电流可达 75A
    - 低导通电阻:典型值为 11mΩ @ VGS=10V,ID=20A
    - 出色的动态特性:快速开关响应时间,降低功耗并提升效率
    应用领域
    - 工业控制与自动化设备
    - 电机驱动及电源转换系统
    - 新能源汽车驱动模块
    - 高效逆变器与直流-直流变换器
    - 温度敏感环境下的功率管理单元

    技术参数


    以下是 VBL1615 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压 | VGS | -20 +20 | V |
    | 漏极电流(连续) | ID | TC=25°C 75 A |
    | 漏极电流(脉冲) | IDM | t≤10s 200 | A |
    | 导通阻抗 | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A 0.011 Ω |
    | 击穿电压 | VDS | VGS=0V, ID=250µA | 60 V |
    | 栅极电荷 | Qg | VDS=30V, VGS=10V, ID=50A | 47 nC |
    | 开关延迟时间 | td(on) | VDD=30V, RL=0.6Ω | 10 20 | ns |
    | 下降时间 | tf 20 | 30 | ns |
    其他重要特性
    - 最高结壳热阻:0.85°C/W
    - 绝对最大结温:175°C
    - 符合 RoHS 和无卤标准

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 耐高温设计:采用优化的硅片结构,确保在极端温度下仍能稳定运行。
    2. 低导通损耗:RDS(on) 在不同工作条件下均表现优异,尤其适合高频开关电路。
    3. 快速开关速度:得益于先进的 TrenchFET 技术,开关延迟时间和下降时间极短。
    市场竞争力
    VBL1615 凭借其卓越的性能参数,在工业级功率电子市场中具备显著的竞争优势。特别是在需要高可靠性和高效能的应用中,VBL1615 是理想的解决方案。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电机驱动器:利用其低导通电阻和高开关频率特性,可以有效减少能量损耗并提高效率。
    - 新能源汽车逆变器:在高温环境中表现稳定,能够适应复杂的车辆工况。
    - 工业电源:适用于需要高效能、紧凑布局的设计。
    使用建议
    1. 散热管理:由于工作时会产生热量,建议配备良好的散热片或散热器以维持正常工作温度。
    2. 驱动电路设计:合理设置栅极电阻以避免振铃现象,确保开关过程平稳。
    3. 测试验证:在批量生产前应对样品进行充分的高温老化试验,验证其长期稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    VBL1615 与主流 D2PAK 封装兼容,便于替换现有设计中的同类产品。此外,该器件与大多数高性能控制器和微处理器具有良好的接口兼容性。
    支持与维护
    台湾 VBsemi 提供全面的技术支持服务,包括样品申请、定制化方案设计以及详细的参考文档下载。客户可通过服务热线 400-655-8788 联系公司获取进一步帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现明显的振铃现象 | 调整栅极电阻至适当值以抑制振铃 |
    | 长期使用后性能下降 | 检查散热系统是否正常工作,必要时增加散热措施 |
    | 过流保护频繁触发 | 检查负载状态,确认是否超出额定范围,调整保护阈值 |

    总结和推荐


    综合评估
    VBL1615 是一款面向高端应用的高性能功率 MOSFET,以其高耐温特性、低导通电阻和快速开关性能脱颖而出。无论是工业设备还是汽车电子领域,它都展现了卓越的技术实力。
    推荐结论
    强烈推荐 VBL1615 用于对性能要求较高的场景。其出色的可靠性、广泛的应用兼容性和厂商提供的优质支持使其成为许多工程师的首选。

VBL1615参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 75A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL1615厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL1615数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL1615 VBL1615数据手册

VBL1615封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
800+ ¥ 2.9798
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起订量: 10 增量: 800
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