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VBZA7470

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。
供应商型号: 14M-VBZA7470
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZA7470

VBZA7470概述

    N-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司的N-Channel 40-V (D-S) MOSFET(场效应晶体管),属于高效率的TrenchFET® Power MOSFET系列。这款MOSFET具有出色的开关性能,适合用于同步整流、电源管理等应用场合。

    技术参数


    以下是N-Channel 40-V MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    - 电压规格
    - 漏源电压 \( V{DS} \):40 V
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \):50 A
    - 最大连续漏极电流 \( I{D} \):2.5 A(环境温度25°C)
    - 漏源体二极管最大电流 \( I{S} \):2.1 A(环境温度25°C)
    - 电阻规格
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \) V时,\( R{DS(on)} \) 为 0.014 Ω
    - \( V{GS} = 4.5 \) V时,\( R{DS(on)} \) 为 0.016 Ω
    - 电容规格
    - 输入电容 \( C{iss} \):2000 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):260 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):150 pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 \( Q{g} \):
    - \( V{GS} = 10 \) V时,\( Q{g} \) 为 33 nC
    - \( V{GS} = 4.5 \) V时,\( Q{g} \) 为 15 nC
    - 工作环境
    - 连续工作温度范围 \( T{J}, T{stg} \):-55°C 至 150°C
    - 最大结温 \( T{J} \):150°C
    - 热阻 \( R{thJA} \):37°C/W(最大)
    - 最大功率耗散 \( P{D} \):6 W(环境温度25°C)

    产品特点和优势


    N-Channel 40-V MOSFET 的主要特点是:
    - 卤素无害:符合IEC 61249-2-21定义标准
    - 完全测试:100%栅极电阻和雪崩耐受能力测试
    - 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC
    该MOSFET具备低导通电阻和高效的开关性能,适用于要求高性能和长寿命的应用场合,如同步整流和电源转换等。

    应用案例和使用建议


    N-Channel 40-V MOSFET 的典型应用包括:
    - 同步整流
    - 电源管理,如POL(点负载)和IBC(内部总线控制器)
    - 次级侧电源管理
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意散热设计以避免过热
    - 在高频率应用中,考虑外部电容来减小寄生电容的影响

    兼容性和支持


    该MOSFET采用SO-8封装,可以轻松安装在标准电路板上。此外,制造商提供技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    常见的问题及解决方案如下:
    - 问题:MOSFET在高电流下发热严重
    - 解决办法:增加散热片或改进散热设计,确保良好的空气流通
    - 问题:MOSFET栅极电压不稳定
    - 解决办法:检查栅极电阻连接,确保稳定供电
    - 问题:MOSFET在高电流下发生击穿
    - 解决办法:检查电路设计,确保电流限制合适

    总结和推荐


    N-Channel 40-V MOSFET 是一款高效能、低成本的MOSFET,特别适用于需要高效率和可靠性的应用场合。其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性使其成为众多应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能电源管理和同步整流解决方案的设计工程师。

VBZA7470参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@10V,16mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZA7470厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZA7470数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZA7470 VBZA7470数据手册

VBZA7470封装设计

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