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VBM2102M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO-220AB
供应商型号: 14M-VBM2102M TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM2102M

VBM2102M概述

    VBM2102M P-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBM2102M 是一款由 VBsemi 生产的 P-Channel MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),具有耐高压(最大漏源电压为 100V)的特点。此型号 MOSFET 主要应用于电源开关、高电流负载开关及直流/直流转换器等领域。其独特的 TrenchFET® 技术使其具备高性能和可靠性,能够满足现代电力系统的需求。

    技术参数


    以下是 VBM2102M 的关键技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \):100V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):±20V
    - 连续漏极电流(\( TJ = 150^\circ\text{C} \)):\( TC = 25^\circ\text{C} \) 时 -18A
    - 脉冲漏极电流:100A
    - 单次雪崩电流 \( I{AS} \):10A
    - 最大功耗:11.7W(\( TC = 25^\circ\text{C} \))
    - 工作温度范围
    - 结温 \( TJ \) 和存储温度 \( T{stg} \):-55 到 150°C
    - 热阻
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \)(印制电路板安装):60°C/W
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \):9°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):100V
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \):1V 至 2.5V
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \):-1µA
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \):1460pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):330pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):280pF

    产品特点和优势


    VBM2102M 的独特功能包括:
    - TrenchFET® 技术:确保高效率和低损耗。
    - 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    - 全部进行 \( Rg \) 和 UIS 测试:保证质量和可靠性。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保合规。

    应用案例和使用建议


    VBM2102M 主要应用于需要高压驱动的场合,如:
    - 电源开关:适用于各类电源管理电路。
    - 高电流负载开关:用于需要高可靠性且高效的电流控制场景。
    - 直流/直流转换器:提供稳定的电压转换。
    使用建议:
    - 确保正确连接栅极和源极以避免过高的栅源电压导致损坏。
    - 在设计应用时,考虑 PCB 布局对散热的影响,特别是对于高电流情况。

    兼容性和支持


    VBM2102M 通常与其他常见的电路组件兼容,例如变压器、电容器和电阻器。VBsemi 提供了详细的技术支持文档,包括安装指南、应用说明等,客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:漏极电流过大导致过热?
    - 解决方案:增加散热片或调整电路布局以提高散热效率。

    - 问题:栅源电压超出限制?
    - 解决方案:检查驱动电路,确保不会产生过高的栅源电压。

    总结和推荐


    VBM2102M 是一款专为高压、高电流应用设计的 P-Channel MOSFET,具有卓越的性能和可靠性。其无卤素设计和符合 RoHS 指令使得它非常适合于环保要求严格的应用场景。总体来说,VBM2102M 是值得推荐的产品,适合各类需要高压驱动的应用。

VBM2102M参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 167mΩ@10V,178mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM2102M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM2102M数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM2102M VBM2102M数据手册

VBM2102M封装设计

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