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SI6562DQ-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,-30V,-3.5A,RDS(ON),38mΩ@10V,45.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: 14M-SI6562DQ-T1-GE3 TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI6562DQ-T1-GE3

SI6562DQ-T1-GE3概述

    SI6562DQ-T1-GE3-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    SI6562DQ-T1-GE3-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-通道和 P-通道 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件广泛应用于电源管理、电机驱动、电池充电电路及通用开关应用中。MOSFET 以其高效能、低损耗和高集成度而著称,在现代电子设计中占据重要地位。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - N-通道
    - VDS:30V
    - RDS(ON)(典型值):22mΩ @ VGS=4.5V, ID=4A
    - ID(最大值):6.2A
    - BVDSS(典型值):30V
    - RDS(ON) Gate Charge(典型值):7nC @ ID=6A
    - P-通道
    - VDS:-30V
    - RDS(ON)(典型值):45mΩ @ VGS=-4.5V, ID=-3A
    - ID(最大值):-5.0A
    - BVDSS(典型值):-30V
    - RDS(ON) Gate Charge(典型值):14.4nC
    - 热参数
    - TJ(操作结温范围):-55°C 至 150°C
    - TSTG(存储温度范围):-55°C 至 150°C
    - Rthj-a(最大热阻):90°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 简单驱动要求:这款 MOSFET 有着简单的门极驱动需求,适合各种电源设计。
    - 较低的门极电荷:低门极电荷可以减少功率损耗,提高效率。
    - 快速开关性能:优秀的开关特性使其适用于高频应用。
    - 环保标准:ROHS 兼容且无卤素。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源转换:用于 DC-DC 转换器中,如升压、降压电路。
    - 电池管理:用于便携式设备中的电池保护电路。
    - 电机控制:适用于小型直流电动机的开关控制。
    - 使用建议:
    - 在设计时,需要特别注意门极驱动电压的选择,以确保 RDS(ON) 的有效性。
    - 高频应用中应考虑寄生电容对开关速度的影响。
    - 设计散热系统时,建议采用大铜片进行散热,以应对高功率损耗情况。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此器件可与其他同类电子元器件轻松兼容,便于集成到现有电路中。
    - 支持和服务:VBsemi 提供专业的技术支持,客户可以通过官方热线(400-655-8788)获得咨询和帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:门极驱动电压不稳定导致器件失效
    - 解决办法:使用稳定可靠的门极驱动源,并根据技术手册调整门极电阻。
    - 问题2:过热问题
    - 解决办法:在设计散热系统时增加散热面积或改进空气流通,必要时可外接散热片。

    7. 总结和推荐


    SI6562DQ-T1-GE3-VB MOSFET 在多种应用场合表现出色,尤其适用于要求高可靠性和高效能的设计。其优越的热性能、低损耗和简单易用的特点使其成为电源管理和电机控制的理想选择。强烈推荐使用该产品,并期待它在未来的项目中发挥重要作用。

SI6562DQ-T1-GE3参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 N+P沟道
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI6562DQ-T1-GE3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI6562DQ-T1-GE3数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI6562DQ-T1-GE3 SI6562DQ-T1-GE3数据手册

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