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VBZMB7N65S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: VBZMB7N65S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZMB7N65S

VBZMB7N65S概述

    电子元器件产品技术手册:N-Channel MOSFET

    产品简介


    本手册详细介绍了VBZMB7N65S N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款电子元器件具有低导通电阻和高电流承载能力,特别适用于多种电源转换应用。产品广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)及照明领域,包括高强度放电(HID)灯和荧光灯照明等。

    技术参数


    以下是VBZMB7N65S的技术规格:
    - 最大耐压 (VDS): 650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在25°C时最大值为0.7 Ω,VGS = 10 V
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为36 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 最大值为3.5 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 最大值为3.8 nC
    - 最大连续漏极电流 (ID): 25°C时为8 A,100°C时为5 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 重复脉冲下,脉宽受限于最大结温
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 190 W
    - 最大结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA): 最大值为63 °C/W
    - 反向恢复时间 (trr): 最大值为190 ns

    产品特点和优势


    - 低器件品质因数 (Ron x Qg):提高了能效,减少了损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):有助于提高开关速度,减少损耗。
    - 减小开关和导通损耗:在高频应用中表现优异。
    - 超低栅极电荷 (Qg):有利于降低驱动能耗。
    - 雪崩能量额定值 (UIS):提高了可靠性,适用于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    VBZMB7N65S广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)以及功率因数校正电源(PFC)等领域。具体使用时,应根据不同的应用场景调整驱动电路的设计,以确保最佳性能。
    建议使用场景:
    - 服务器和电信电源供应:需考虑电源管理系统的效率优化。
    - 开关模式电源供应 (SMPS):应重点关注开关频率和输出纹波控制。
    - 工业设备:如需要高可靠性的应用,应确保良好的散热设计。

    兼容性和支持


    VBZMB7N65S与多数电源管理和控制电路兼容,适用于广泛的电子系统。制造商提供全面的技术支持,包括驱动电路设计指南和详细的参数数据表,帮助客户进行有效的系统集成。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确定正确的驱动电压?
    解决方案:参考技术手册中的典型驱动电压(VGS)范围,并根据应用需求选择合适的VGS值。

    - 问题二:如何测量最大结温下的电流承载能力?
    解决方案:使用恒流源进行测试,并监测温度上升情况,确保不超过最大允许值。

    总结和推荐


    VBZMB7N65S是一款高性能的N-Channel MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和高效的能量转换特性,适合多种电源转换应用。建议在对效率要求较高且需要长期稳定运行的应用中使用。总体而言,VBZMB7N65S是值得推荐的产品,能显著提升系统的整体性能。

VBZMB7N65S参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZMB7N65S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZMB7N65S数据手册

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VBZMB7N65S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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