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IRF7205TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V);SOP8
供应商型号: 14M-IRF7205TRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7205TRPBF

IRF7205TRPBF概述

    # IRF7205TRPBF-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型与功能
    IRF7205TRPBF-VB 是一款采用 TrenchFET® 技术的高性能 P-Channel MOSFET。它具有低导通电阻(RDS(on))的特点,适用于高效率电源管理和电机驱动等应用场景。此器件能够在 -30V 的电压范围内工作,并符合 RoHS 指令和无卤素标准。
    主要应用领域
    IRF7205TRPBF-VB 可广泛应用于开关电源设计、直流-直流转换器、负载开关及各类驱动电路中。其高效的电流控制能力和低功耗特性使其成为工业控制、通信设备和消费电子领域的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | VGS = -10V, ID = -5.8A 0.033 Ω |
    | 静态门阈值电压 (VGS(th)) | VDS = VGS, ID = -250µA -0.7 | -2.0 | V |
    | 最大连续源电流 (IS) | TJ = 70°C -2.3 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | -30 | A |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 150 | °C |
    其他关键指标包括:
    - 最大封装功率耗散(PD)为 2.5W @ TA=25°C;
    - 热阻抗(RthJA)为 40-50°C/W;
    - 栅极电荷(Qg)典型值为 2nC。

    3. 产品特点和优势


    特点
    1. 低导通电阻:RDS(on) 在不同栅压下的典型值均低于 0.06Ω,确保高效的电流传输。
    2. 无卤素设计:满足环保要求,广泛适用于各种严苛环境。
    3. 高温适应性:工作温度范围为 -55 至 150°C,适合极端工况。
    4. 高可靠性:符合 RoHS 标准,具备出色的长期稳定性和耐用性。
    优势
    1. 高能效:低导通电阻显著减少功耗,提升系统整体效率。
    2. 紧凑设计:SO-8 封装便于表面贴装,节省 PCB 空间。
    3. 广泛适用性:能够适应多种电压等级和电流需求,是通用型电子元器件的理想选择。
    4. 应用案例与使用建议
    应用案例
    - 电池管理系统:用于电池保护和放电控制。
    - 电机驱动电路:实现精准的速度和方向控制。
    - 汽车电子:作为高压开关元件参与动力系统管理。
    使用建议
    1. 优化布局:为减少寄生效应,在 PCB 设计时应尽量缩短栅极走线长度。
    2. 散热设计:考虑加装散热片以改善热传导,特别是在高功率运行场景下。
    3. 滤波措施:添加必要的输入输出滤波电容,防止高频干扰影响系统性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    IRF7205TRPBF-VB 与其他标准 SO-8 封装器件完全兼容,便于替换现有设计方案中的同类产品。
    支持
    制造商提供详细的技术文档和支持服务,包括产品样本申请、样品测试和技术咨询等。客户可通过服务热线 400-655-8788 获得进一步帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度较慢 | 减少栅极电阻(Rg),优化驱动信号 |
    | 发热严重 | 添加散热装置,优化 PCB 布局 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查焊接质量和电路连接状态 |
    7. 总结与推荐
    综合评估
    IRF7205TRPBF-VB 是一款功能强大且性能稳定的 P-Channel MOSFET。其优异的导通电阻、广泛的温度适应范围以及严格的环保标准,使其在市场上极具竞争力。对于需要高效、可靠电子元件的应用场合,这款产品无疑是最佳选择之一。
    推荐结论
    我们强烈推荐 IRF7205TRPBF-VB 用于高效率电源管理、电机驱动和其他需要高性能 MOSFET 的应用场景。通过合理的电路设计和散热处理,可以充分发挥其潜力,满足现代电子系统的需求。

IRF7205TRPBF参数

参数
最大功率耗散 1.3W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 50nC
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.7Ω@10V,950mA
Id-连续漏极电流 5.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7205TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7205TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF数据手册

IRF7205TRPBF封装设计

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