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VBZA4435

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8 用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
供应商型号: 14M-VBZA4435 SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZA4435

VBZA4435概述

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    本手册详细介绍了一款P-Channel 30-V(D-S)功率MOSFET器件,型号为VBZA4435。该产品属于沟槽型场效应晶体管(TrenchFET®),具有低导通电阻和高可靠性等特点。适用于负载开关和电池开关等领域,广泛应用于电源管理和电池管理系统中。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS): 最大值为30V
    - 连续漏极电流(ID): 在Ta=25°C时为-9.0A,在Ta=70°C时降至-5.6A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 最大值为-30A
    - 最大功率耗散(PD): 在Ta=25°C时为4.2W,在Ta=70°C时降至2.7W
    - 热阻抗(RthJA): 最大值为50°C/W,稳态下的栅脚至散热片热阻(RthJF)最大值为30°C/W
    - 阈值电压(VGS(th)): 最小值为-1.0V,典型值为-2.5V
    - 门源电容(Ciss): 最大值为1455pF
    - 输出电容(Coss): 最大值为180pF
    - 反向传输电容(Crss): 最大值为145pF
    - 总栅极电荷(Qg): 最小值为13nC,最大值为38nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)): 最小值为0.018Ω(VGS=-10V时),0.024Ω(VGS=-4.5V时)
    - 高可靠性: 100% Rg测试,确保产品质量
    - 环保: 符合IEC 61249-2-21标准,无卤素设计
    - 高效能: 低门极电阻(Rg)和短的延迟时间(td(on)和td(off))

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关: 在电池管理系统的负载开关应用中表现出色,能够实现高效的能量转换和分配
    - 电池开关: 可用于控制电池的充电和放电过程,减少能量损失
    - 建议: 在设计电路时,需考虑散热设计以防止温度过高导致器件损坏。建议使用散热片或加大电路板面积以增加散热效果

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件支持表面贴装技术(SMT),适用于多种电路板组装工艺
    - 支持: 厂商提供详尽的技术支持文档和技术咨询热线(400-655-8788)

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 温度过高导致器件损坏
    - 解决方法: 增加散热措施,如使用散热片或增加电路板面积以提高散热效果
    - 问题: 电路响应时间过长
    - 解决方法: 优化电路设计,减小寄生电容的影响

    7. 总结和推荐


    综上所述,VBZA4435 MOSFET具备高性能、低功耗、高可靠性的特点,非常适合用于电池管理和电源管理领域。强烈推荐用于需要高效率和稳定性的场合。此外,制造商提供了详尽的技术支持和服务,使客户能够轻松进行设计和集成。

VBZA4435参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.37V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,29mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBZA4435厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZA4435数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZA4435 VBZA4435数据手册

VBZA4435封装设计

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