处理中...

首页  >  产品百科  >  VBMB2658

VBMB2658

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-VBMB2658 TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB2658

VBMB2658概述

    VBMB2658 P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBMB2658 是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具备高性能和高可靠性。其主要应用于直流电源转换器、电机驱动器、电源管理电路等领域。该产品具有卤素无害和符合RoHS标准的特点,确保在各种环境下的稳定运行。

    技术参数


    以下是VBMB2658的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) | - | -60 | - | V |
    | 门限电压(VGS(th)) | -1 | - | 2.5 | V |
    | 门体漏电流(IGSS) | -250 | ±0 | +250 | nA |
    | 门电阻(Rg) | - | 0.5 | 5 | Ω |
    | 零门电压漏极电流(IDSS) | - | -1 | -50 | µA |
    | 漏极连续电流(TJ = 150 °C) | - | -30 | - | A |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | - | 0.050 | 0.060 | Ω |
    | 输入电容(Ciss) | - | 1765 | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | 230 | - | pF |
    | 反向转移电容(Crss) | - | 180 | - | pF |
    | 全部栅极电荷(Qg) | - | 67 | - | nC |
    | 热阻抗(RthJA) | - | 60 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    VBMB2658具有以下显著特点和优势:
    1. Halogen-free:满足IEC 61249-2-21定义的无卤要求,对环境友好。
    2. TrenchFET®技术:采用先进的沟槽场效应技术,提供更低的导通电阻和更高的耐压能力。
    3. 全范围测试:100%的栅极电阻和UIS测试,确保每个器件的质量。
    4. 低导通电阻:在典型工作条件下,RDS(on)仅为0.050Ω,能有效降低功耗。
    5. 高可靠性:符合RoHS指令2002/95/EC,确保产品的安全性和环保性。

    应用案例和使用建议


    VBMB2658适用于多种电路设计,如:
    - 直流电源转换器:用于电源管理和电压调节。
    - 电机驱动器:控制电动机的启停和调速。
    - 开关电源:用于高效稳定的电压转换。
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,注意散热措施,避免因温度过高导致器件损坏。
    2. 确保栅极驱动信号正确,防止栅极电压超过±20V的限制。
    3. 使用VBMB2658进行设计时,应参考其详细的SOA(Safe Operating Area)曲线,以确保在不同工作条件下的稳定性。

    兼容性和支持


    VBMB2658与大多数常见的电子元器件兼容,适用于多种电路设计。制造商提供全面的技术支持,包括安装指南、应用笔记和故障排查帮助,以确保用户能够充分发挥产品的性能。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方法:
    1. 栅极电压不稳定:确保驱动电路设计合理,检查外部栅极电阻。
    2. 过热保护失效:检查散热系统是否正常工作,必要时增加散热片。
    3. 导通电阻异常:检查安装工艺是否正确,确保所有引脚连接良好。

    总结和推荐


    VBMB2658 P-Channel 60V MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用领域,成为众多电子设计师的首选。其优秀的导通电阻、坚固的封装和强大的耐用性使其在多种应用中表现出色。对于需要高性能、高可靠性的电源管理需求,强烈推荐使用VBMB2658。

VBMB2658参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 30A
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,69mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB2658厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB2658数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB2658 VBMB2658数据手册

VBMB2658封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7878
库存: 100
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.93
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831