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IRF640NS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,40A,RDS(ON),48mΩ@10V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M--IRF640NS TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF640NS

IRF640NS概述

    # IRF640NS-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    产品类型
    IRF640NS-VB 是一种采用 N 沟道技术的200V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品属于VBsemi品牌的TrenchFET®系列,适用于高可靠性要求的应用场合。
    主要功能
    - 高速开关能力:该产品特别优化用于PWM(脉宽调制)控制,具有快速开关的能力。
    - 高耐温性:其能够在高达175°C的结点温度下正常工作。
    - 低热阻封装:采用了热阻极低的封装设计,适合高功率密度应用。
    应用领域
    - 隔离式直流-直流转换器:主要用于电源管理和变换设备中的初级侧开关。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):200V @ VGS = 0 V, ID = 250 µA
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):2 ~ 4V @ VDS = VGS, ID = 250 µA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS):± 100 nA @ VDS = 0 V, VGS = ± 20 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS):1µA @ VDS = 160 V, VGS = 0 V
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):2820 pF @ VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
    - 输出电容 (Coss):300 pF
    - 反向传输电容 (Crss):120 pF
    - 总栅电荷 (Qg):35 nC @ VDS = 100 V, VGS = 10 V, ID = 20 A
    静态导通电阻 (RDS(on))
    - RDS(on) @ VGS = 10 V, ID = 20 A: 0.048Ω
    - RDS(on) @ VGS = 6.5 V, ID = 15 A: 0.060Ω
    额定参数
    - 最大漏源电压 (VDS):200V
    - 最大栅源电压 (VGS):± 20V
    - 连续漏电流 (ID):40A @ TC = 25°C
    - 脉冲漏电流 (IDM):80A
    - 重复雪崩电流 (IAR):20A
    - 重复雪崩能量 (EAR):16.2mJ

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 高耐温性:可承受高达175°C的结点温度,确保在极端环境下的稳定运行。
    - 快速开关能力:优化PWM控制,显著减少开关损耗。
    - 低热阻:有助于降低功耗和提高整体效率。
    - RoHS合规性:符合RoHS指令2002/95/EC标准,环保安全。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 隔离式直流-直流转换器:在转换器的初级侧作为开关使用,实现高效能的电力变换。
    使用建议
    - 散热设计:由于产品的工作电流较大,需注意良好的散热设计以避免过热。
    - 布局优化:合理布局PCB,确保栅极走线尽可能短,减少寄生电感。
    - 并联使用:在高电流应用中可以考虑并联使用多个器件以分担负载。

    兼容性和支持


    兼容性
    - IRF640NS-VB 可与其他标准的200V N沟道MOSFET进行互换使用,具备较强的兼容性。
    厂商支持
    - 客户可以通过VBsemi的服务热线400-655-8788获取技术支持和产品维护服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:工作时出现过热现象。
    - 解决办法:检查散热设计是否合理,确保有足够的散热措施,如加装散热片或风扇。
    2. 问题:开关损耗较高。
    - 解决办法:优化电路布局,尽量缩短栅极走线长度,并选用合适的驱动电阻。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 高温耐受能力强。
    - 优秀的开关性能。
    - 低热阻设计提升系统效率。
    - 符合环保标准。
    - 适用场景:
    - 需要在高温环境下工作的隔离式直流-直流转换器。

    推荐结论
    鉴于IRF640NS-VB在高温稳定性、开关速度以及低热阻方面的卓越表现,强烈推荐用于需要高性能电力变换的场合。对于要求环保且可靠的产品,它是一个理想的选择。

IRF640NS参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.82nF
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.18Ω@VGS = 10 V,ID = 20 A,TJ = 175 掳C
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 40A
最大功率耗散 200W
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRF640NS厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF640NS数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF640NS IRF640NS数据手册

IRF640NS封装设计

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型号 价格(含增值税)
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