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VBZF4N65

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: VBZF4N65 TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZF4N65

VBZF4N65概述

    VBZF4N65 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBZF4N65 是一款由VBsemi公司生产的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品主要用于电源管理和电力转换系统中的开关控制。凭借其低栅极电荷(Qg)、改进的栅极和雪崩耐受性,VBZF4N65能够实现简单的驱动需求并保持高可靠性。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - VDS(漏源电压):650 V
    - RDS(on)(导通电阻):2.1 Ω(VGS = 10 V)
    - Qg(总栅极电荷):48 nC
    - Qgs(栅源电荷):12 nC
    - Qgd(栅漏电荷):19 nC
    - 配置:单片
    - 符合RoHS标准
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 VDS:650 V
    - 栅源电压 VGS:±30 V
    - 持续漏极电流 ID(TC = 25 °C):4.2 A
    - 脉冲漏极电流 IDM:18 A
    - 最大功耗 PD(TC = 25 °C):60 W
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:325 mJ
    - 反复雪崩电流 IAR:4 A
    - 反复雪崩能量 EAR:6 mJ
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:2.8 V/ns
    - 工作结温及存储温度范围 TJ, Tstg:-55至+150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:减少了驱动需求,使得设计更为简单。
    - 改进的栅极和雪崩耐受性:提高了可靠性。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特征:提供了全面的参数说明,方便进行选型和应用设计。
    - 符合RoHS指令:保证了环保合规性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于各种电源管理和电力转换系统,如直流-直流转换器、电机控制和LED照明系统。
    - 使用建议:在选择外部驱动电路时,需考虑电容充电时间及dv/dt控制。确保电路布局中低杂散电感、接地平面的设计,以降低寄生电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品具有良好的兼容性,可与大多数常见的驱动器和电源管理系统配合使用。
    - 支持:VBsemi公司提供详细的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何减少器件的热应力?
    - 解决方法:采用大尺寸散热器,并确保良好的热传导路径。
    - 问题2:器件在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方法:检查电源电压和驱动条件,确保在规定的工作温度范围内使用。
    - 问题3:二极管恢复时间过长。
    - 解决方法:优化电路设计,减小寄生电感,选用低杂散电感的器件。

    7. 总结和推荐


    VBZF4N65是一款高性能、可靠的N沟道增强型功率MOSFET,其低栅极电荷和改进的耐受性使其成为电力转换系统中的理想选择。产品兼容性强,且拥有详尽的技术文档和支持,适合各种电源管理应用。总体来说,VBZF4N65不仅在技术上具备显著优势,在实际应用中也能提供稳定可靠的性能,强烈推荐使用。
    本文档基于VBZF4N65的产品手册编写,详细介绍了其技术参数、特点和应用建议,希望能够为工程师和设计者提供有价值的参考。

VBZF4N65参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBZF4N65厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZF4N65数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZF4N65 VBZF4N65数据手册

VBZF4N65封装设计

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