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IRLR014TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO252;N—Channel沟道,60V;18A;RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: 14M-IRLR014TRPBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR014TRPBF

IRLR014TRPBF概述

    IRLR014TRPBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: IRLR014TRPBF-VB 是一款N-Channel沟槽式功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能: 该器件具备出色的开关性能,适用于高频电源转换电路,能够在低导通电阻(RDS(on))下实现高效能。
    应用领域: 主要应用于直流-直流转换器(DC/DC Converters)、直流-交流逆变器(DC/AC Inverters)以及电机驱动(Motor Drives)等领域。

    2. 技术参数


    - 电压特性:
    - 漏源击穿电压(VDS): 60 V
    - 最大漏极连续电流(ID): 8 A @ TC = 25 °C,1 A @ TC = 70 °C
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 25 A
    - 单次雪崩能量(EAS): 11.25 mJ @ TC = 25 °C
    - 最大功率耗散(PD): 41.7 W @ TC = 25 °C,2.1 W @ TA = 25 °C
    - 静态参数:
    - 门限电压(VGS(th)): 1.0 - 3.0 V
    - 零门电压漏极电流(IDSS): 1 μA @ VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C
    - 开态漏极电流(ID(on)): 20 A @ VDS ≥ 10 V, VGS = 10 V
    - 开态漏源电阻(RDS(on)): 0.073 Ω @ VGS = 10 V, ID = 6.6 A
    - 转导电导率(gfs): 25 S @ VDS = 15 V, ID = 6.6 A
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss): 6 pF @ VDS = 30 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
    - 输出电容(Coss): 85 pF
    - 反向转移电容(Crss): 40 pF
    - 总门电荷(Qg): 19.8 nC @ VDS = 30 V, VGS = 10 V, ID = 6.6 A
    - 上升时间(tr): 11 - 20 ns
    - 下降时间(tf): 5 - 10 ns
    - 封装:
    - TO-252封装,漏极连接到焊盘

    3. 产品特点和优势


    TrenchFET® 技术: IRLR014TRPBF-VB 使用TrenchFET®技术,显著降低导通电阻并提高效率。
    可靠测试: 所有产品均经过100% Rg和UIS测试,确保高度可靠性。
    宽温度范围: 支持从-55 °C到150 °C的工作温度范围,适用于各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 直流-直流转换器(例如电源适配器)
    - 电机驱动系统
    - 太阳能逆变器
    使用建议:
    - 确保散热设计充分,特别是在高功率应用中。
    - 保持门电压稳定,避免因门电荷过大导致的瞬时峰值电流。
    - 根据应用场景选择合适的门电阻值,以优化开关速度和能耗。

    5. 兼容性和支持


    兼容性: IRLR014TRPBF-VB 与其他采用TO-252封装的N-Channel MOSFET具有良好的互换性。
    厂商支持: 提供全面的技术支持和文档,客户可通过服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方法: 减小门电阻值,缩短上升时间和下降时间。
    - 问题: 散热不足导致过热。
    - 解决方法: 采用更大尺寸的散热片或增加强制冷却措施,如风扇。
    - 问题: 启动和关闭时间过长。
    - 解决方法: 调整门电阻值和门电荷参数。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IRLR014TRPBF-VB MOSFET具备高效的开关性能、较低的导通电阻和高可靠性,特别适合于高频电源转换和电机驱动应用。其卓越的温度适应能力使其适用于各种环境条件。因此,强烈推荐在这些应用场景中使用该产品。
    通过以上分析,可以看出 IRLR014TRPBF-VB 是一款性能优异且应用广泛的N-Channel MOSFET,能够满足大多数电力电子设计的需求。

IRLR014TRPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR014TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR014TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF数据手册

IRLR014TRPBF封装设计

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