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IRLML9303TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT-23
供应商型号: 14M-IRLML9303TR SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLML9303TR

IRLML9303TR概述

    IRLML9303TR-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLML9303TR-VB 是一款P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于TrenchFET®系列。这款器件设计用于移动计算领域,特别是在负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器中表现卓越。其主要功能是作为开关器件,在各种电源管理应用中发挥关键作用。

    技术参数


    IRLML9303TR-VB 的技术参数如下所示:
    - 最大漏源电压 (VDS):30 V
    - 最大栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C:-5 A
    - TC = 70 °C:-4.3 A
    - 脉冲漏极电流 (t = 100 µs):-18 A
    - 最大功率耗散 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C:2.5 W
    - TC = 70 °C:1.6 W
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V,ID = -4 A:0.046 Ω
    - VGS = -6 V,ID = -4 A:0.049 Ω
    - VGS = -4.5 V,ID = -3.6 A:0.054 Ω
    - 阈值电压 (VGS(th)):-0.5 ~ 2.0 V
    - 输入电容 (Ciss):12 pF
    - 输出电容 (Coss):150 pF
    - 反向传输电容 (Crss):130 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):24 ~ 36 nC

    产品特点和优势


    IRLML9303TR-VB 的主要特点和优势包括:
    - TrenchFET®技术:提高效率和可靠性。
    - 100% Rg测试:确保产品质量。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):有助于降低功耗,适用于多种高效率应用场景。
    - 高耐压能力:能够承受较高的电压,适合严苛的工作环境。
    - 优异的热稳定性:具有较低的热阻,能够有效散热,保证长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    IRLML9303TR-VB 在以下应用中有广泛的应用:
    - 负载开关:可用于电源管理电路中的负载开关,实现精确控制。
    - 笔记本适配器开关:可应用于笔记本电脑的电源适配器中,提高整体能效。
    - DC/DC转换器:适用于各类DC/DC转换器,提供高效稳定的电力转换。
    使用建议:
    - 合理选择工作条件:确保在额定范围内使用,以防止过载。
    - 注意散热:虽然IRLML9303TR-VB具有较好的热稳定性,但在高负载情况下仍需注意散热措施,以保持长期稳定运行。
    - 遵循设计指南:参考产品手册中的设计指南进行布局和连接,以充分利用其特性。

    兼容性和支持


    IRLML9303TR-VB 可以轻松与其他标准电子元器件兼容,适用于常见的电源管理设计。厂商提供了详细的文档和技术支持,确保用户能够顺利进行应用开发和调试。如果您有任何问题或需要技术支持,可以拨打服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:产品过热。
    - 解决办法:增加散热片或改善电路布局以提高散热效果。
    - 问题:无法正常导通。
    - 解决办法:检查接线和驱动电路是否正确,确认栅极电压是否符合要求。
    - 问题:性能不稳定。
    - 解决办法:确保工作环境温度在产品规定的范围内,并避免超负荷工作。

    总结和推荐


    总体而言,IRLML9303TR-VB 是一款高性能、可靠的P沟道MOSFET,适用于多种电源管理和控制应用。其低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性使其成为众多应用场景的理想选择。如果您正在寻找一种高效、可靠的电源管理解决方案,IRLML9303TR-VB 将是一个值得考虑的选择。
    如有进一步的技术咨询需求,欢迎联系厂商获得更详尽的支持和服务。

IRLML9303TR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 46mΩ@10V
Id-连续漏极电流 5.6A
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLML9303TR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLML9303TR数据手册

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