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IPD350N06LG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD350N06LG TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD350N06LG

IPD350N06LG概述

    IPD350N06LG-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD350N06LG-VB 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N 沟道功率 MOSFET,具有出色的性能和广泛的应用范围。这款 MOSFET 在高压、高温等恶劣环境下表现优异,适用于各种电力电子系统。其主要特点包括高击穿电压(60V)、低导通电阻(rDS(on)),适用于电源转换、电机驱动、照明控制等众多领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 通道类型:N 沟道
    - 最大漏源击穿电压(V(BR)DSS):60V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0~3.0V
    - 最大连续漏电流(ID):25°C 下 100A,175°C 下 25A
    - 最大栅极漏电流(IGSS):±100nA
    - 最大零栅源电压漏电流(IDSS):50μA
    - 导通电阻(rDS(on)):
    - 10V 栅压下 15A 时:0.025Ω
    - 10V 栅压下 175°C 时:0.069Ω
    - 4.5V 栅压下 10A 时:0.030Ω
    - 热性能
    - 最大结到环境热阻(RthJA):18°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):3.2°C/W
    - 动态性能
    - 输入电容(Ciss):150pF
    - 输出电容(Coss):140pF
    - 反向传输电容(Crss):60pF
    - 总栅极电荷(Qg):11~17nC
    - 栅极源电荷(Qgs):3nC
    - 栅极漏电荷(Qgd):3nC
    - 开启延迟时间(td(on)):8~15ns
    - 上升时间(tr):15~25ns
    - 关断延迟时间(td(off)):30~45ns
    - 下降时间(tf):25~40ns

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:能够在 -55°C 到 175°C 的宽温范围内稳定运行。
    2. 低导通电阻:0.025Ω 的低导通电阻,显著降低功率损耗。
    3. 高击穿电压:60V 的高击穿电压,满足高压应用需求。
    4. 优异的热性能:最大结到环境热阻为 18°C/W,可有效散热,确保长期稳定运行。
    5. 高速开关性能:快速的开关特性有助于提高电路效率。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:IPD350N06LG-VB 在开关电源、电机驱动和照明控制等领域广泛应用。例如,在开关电源中,它能够有效地进行功率转换,提高系统的能效。
    - 使用建议:在使用时,应注意保持栅极电压在合适的范围内,避免超过绝对最大额定值。在高频开关场合下,应考虑散热措施,以保持良好的性能和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD350N06LG-VB 支持 TO-252 封装,可以方便地与其他标准封装器件配合使用。
    - 支持和维护:VBsemi 提供专业的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利应用此产品。如有任何问题,可通过公司服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开启时出现异常噪声。
    - 解决方案:检查栅极电阻是否合适,必要时增加旁路电容以减少噪声干扰。
    2. 问题:过热现象。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或使用散热器。
    3. 问题:驱动信号不稳定。
    - 解决方案:确保驱动信号的电压和频率符合要求,使用滤波器来减少干扰。

    总结和推荐


    IPD350N06LG-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的耐高压能力和低导通电阻。它非常适合应用于需要高可靠性和高效能的场合。VBsemi 提供的技术支持和服务使得此产品更加可靠易用。综上所述,强烈推荐在高压、高温等苛刻环境下使用的电力电子系统中使用 IPD350N06LG-VB。

IPD350N06LG参数

参数
最大功率耗散 100W
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 45A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.069Ω VGS = 10 V,ID = 15 A,TJ = 175 °C
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD350N06LG厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD350N06LG数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD350N06LG IPD350N06LG数据手册

IPD350N06LG封装设计

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