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IRLR2908TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRLR2908TRPBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR2908TRPBF

IRLR2908TRPBF概述

    IRLR2908TRPBF-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    IRLR2908TRPBF-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的电气性能和可靠性。该器件主要用于各种电力转换和控制应用,例如电机驱动、开关电源和电池管理等。其主要特点是具有低导通电阻(rDS(on))和高工作温度范围,使其在高压应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏电流(ID):40 A
    - 脉冲漏电流(IDM):120 A
    - 击穿电压(V(BR)DSS):100 V
    - 阈值电压(VGS(th)):1 V 至 3 V
    - 栅极-体泄漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 零栅压漏电流(IDSS):1 µA @ 100 V
    - 最大功耗(PD):107 W(@ TJ = 25°C)

    - 热阻参数
    - 结到环境热阻(RthJA):40°C/W
    - 结到外壳热阻(RthJC):1.4°C/W
    - 电容参数
    - 输入电容(Ciss):2600 pF
    - 输出电容(Coss):290 pF
    - 反向传输电容(Crss):120 pF
    - 总栅极电荷(Qg):35 nC 至 60 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):11 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):9 nC

    3. 产品特点和优势


    IRLR2908TRPBF-VB 的主要特点包括:
    - 超低导通电阻:在 VGS = 10 V 时,rDS(on) 仅为 0.030 Ω,在 VGS = 4.5 V 时,rDS(on) 为 0.045 Ω。
    - 宽工作温度范围:从 -55°C 到 175°C,确保在极端条件下依然稳定可靠。
    - 高击穿电压:100 V 的击穿电压,使得该器件适用于高压应用。
    - 低热阻:RthJA 仅为 40°C/W,能够有效地散热,保持器件在高温下的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机驱动:由于其出色的耐高温特性和低导通电阻,该器件非常适合用于电机驱动电路,以提高效率并减少发热。
    - 开关电源:IRLR2908TRPBF-VB 的高开关速度和低损耗特性使其成为开关电源的理想选择。
    - 电池管理:在电池管理系统中,该器件可以有效控制电池的充放电过程,延长电池寿命。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保电路板的设计能够提供足够的散热能力,特别是在高功率应用中。
    - 为了获得最佳性能,应尽可能降低栅极驱动电阻,以减少开关损耗。
    - 确保所有连接牢固,避免接触不良导致的过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRLR2908TRPBF-VB 采用 TO-252 封装,符合 RoHS 和无卤素标准,易于与其他电子元器件配合使用。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过服务热线 400-655-8788 获取更多信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:过热导致器件损坏
    - 解决方案:确保电路板设计良好,提供足够的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 问题二:开关频率过高导致损耗增加
    - 解决方案:优化栅极驱动电阻,减少开关损耗。同时,适当降低开关频率以减小损耗。
    - 问题三:栅极驱动信号不稳定
    - 解决方案:确保栅极驱动信号的稳定性,使用屏蔽线缆减少干扰。

    7. 总结和推荐


    IRLR2908TRPBF-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,具有出色的电气特性和广泛的应用范围。其极低的导通电阻和宽泛的工作温度范围使其成为许多高压电力转换和控制应用的理想选择。总体而言,我们强烈推荐该产品用于需要高效率和稳定性的场合。

IRLR2908TRPBF参数

参数
最大功率耗散 107W
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 0.067Ω@VGS = 10 V,ID = 3 A,TJ = 175 °C(typ)
通道数量 -
栅极电荷 33nC
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 40A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.6nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR2908TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR2908TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF数据手册

IRLR2908TRPBF封装设计

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