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IRFR1N60ATRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,3440mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-IRFR1N60ATRPBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR1N60ATRPBF

IRFR1N60ATRPBF概述

    IRFR1N60ATRPBF-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRFR1N60ATRPBF-VB 是一款适用于高电压应用的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要特点包括低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力(650V),使其非常适合用于工业控制、电源转换、照明系统等需要高效能和稳定性的场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 3.8 | Ω (VGS=10V) |
    | 总栅极电荷(Qg) | 15 | nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | 3 | nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | 6 | nC |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | 8.0 | A |
    | 最大重复雪崩能量(EAR) | 4 | mJ |
    | 工作温度范围 | -55 至 +150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷使得驱动要求简化,降低驱动电路的成本和复杂度。
    - 改善的耐用性:改善的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性确保在高负载条件下的可靠运行。
    - 全面的电气特性:完全表征的电容和雪崩电压及电流,便于系统设计者进行精确计算。
    - 符合RoHS标准:满足欧盟环保要求,适用于全球市场。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业控制:IRFR1N60ATRPBF-VB 在工业自动化设备中作为功率开关,实现高效能量转换。
    - 电源转换:广泛应用于各种电源转换模块,如开关电源、逆变器等。
    - 照明系统:利用其高电压耐受能力,用于LED驱动器中,实现高效的电流调节。
    使用建议:
    - 散热管理:由于较高的功耗,需确保良好的散热措施,以避免热过载。
    - 驱动电路设计:为了充分发挥其低导通电阻的优势,建议选择合适的驱动电阻,减少开关损耗。
    - 防护电路设计:在应用中加入保护电路,如过压保护二极管,防止电压尖峰损坏MOSFET。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRFR1N60ATRPBF-VB 可与其他同类封装的MOSFET进行互换,且具有较好的机械兼容性。
    - 技术支持:VBsemi提供全面的技术支持,包括应用指南、样品支持和技术咨询服务,帮助客户快速解决问题并优化设计。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下电流下降 | 使用散热片或其他冷却措施 |
    | 开关频率过高导致发热 | 调整驱动电阻以降低开关损耗 |
    | 栅极电压不稳定 | 确保稳定的栅极驱动信号 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    IRFR1N60ATRPBF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,具备优异的电气特性和耐用性。其广泛的应用范围和灵活的驱动要求使其成为多种工业应用的理想选择。
    推荐:
    鉴于其优良的性能和广泛应用,强烈推荐给寻求高效能和高可靠性解决方案的设计工程师。无论是在高电压应用还是在需要严格散热管理的环境中,IRFR1N60ATRPBF-VB都是您的不二选择。

IRFR1N60ATRPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR1N60ATRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR1N60ATRPBF数据手册

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