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NDS9435A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -30V -5.8A 42mΩ@-10V SOP8
供应商型号: 14M-NDS9435A SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDS9435A

NDS9435A概述

    NDS9435A-VB P-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    NDS9435A-VB 是一款高性能的P沟道30V(D-S)功率MOSFET,采用了先进的TrenchFET®技术。这款MOSFET具有极低的导通电阻(RDS(on)),适用于各种高效率电源转换和开关应用。NDS9435A-VB 被广泛应用于汽车电子、工业自动化、通信设备及消费电子产品等领域。

    技术参数


    - 额定电压:最大耐压为30V。
    - 电流特性:
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):-5.8A(TA = 25 °C)至-4.1A(TA = 70 °C)
    - 脉冲漏极电流:最大30A
    - 持续源电流:-2.3A(TA = 25 °C)至-1.1A(TA = 70 °C)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = -10V时:0.033Ω
    - 在VGS = -6V时:0.043Ω
    - 在VGS = -4.5V时:0.056Ω
    - 最大功率耗散:2.5W(TA = 25 °C),1.3W(TA = 70 °C)
    - 存储温度范围:-55°C至150°C
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 栅极-体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 反向恢复时间(trr):最大60μs

    产品特点和优势


    NDS9435A-VB 的主要特点包括:
    - Halogen-Free:符合IEC 61249-2-21定义。
    - RoHS兼容:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC要求。
    - 低导通电阻:实现高效的电源转换。
    - 高温操作稳定性:可承受最高达150°C的温度,适合恶劣环境下的应用。
    - 优良的热阻性能:最大限度减少热累积带来的影响。

    应用案例和使用建议


    NDS9435A-VB 主要用于直流-直流转换器、电源开关、负载切换等场合。根据其特性和电气性能,在选择具体应用时可以考虑以下几点:
    - 在设计开关电源时,确保栅极驱动电压足够高以降低导通电阻,从而提高效率。
    - 使用散热片或散热片夹具来辅助散热,特别是在高电流情况下。
    - 对于需要处理高瞬态电流的应用,选择合适的保护电路,以防止过载损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与常见的SO-8封装设备兼容,方便集成到现有系统中。
    - 支持与维护:VBsemi公司提供详尽的技术文档和客户服务热线400-655-8788,为用户提供及时的技术支持和问题解答。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 在使用过程中发现导通电阻变大,怀疑是产品本身的问题。
    - 解决办法: 检查是否超过了最大额定电压(VDS)或电流(ID)。确保正确地使用并检查是否有外部损伤。
    - 问题2: 产品在高频率下工作时表现出不稳定。
    - 解决办法: 确保使用适当的栅极驱动电阻(Rg)以稳定工作状态。参考数据手册中的建议值,并进行必要的调试。

    总结和推荐


    NDS9435A-VB 是一款高性能、高效能的P沟道MOSFET,特别适用于需要高温稳定性的场合。其低导通电阻和良好的热阻性能使得它成为多种电源管理应用的理想选择。强烈推荐给需要在紧凑空间内实现高效电源转换的设计者和工程师。
    总的来说,NDS9435A-VB 具有极高的可靠性、卓越的电气性能和良好的市场口碑。我们推荐在设计高效能开关电源、负载开关和高功率密度应用时优先考虑此款产品。

NDS9435A参数

参数
Id-连续漏极电流 5.8A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@10V
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDS9435A厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDS9435A数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDS9435A NDS9435A数据手册

NDS9435A封装设计

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