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IPD80N04S3-06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO252;N—Channel沟道,40V;85A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.85V;
供应商型号: 14M-IPD80N04S3-06 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD80N04S3-06

IPD80N04S3-06概述

    IPD80N04S3-06-VB N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IPD80N04S3-06-VB 是一款高性能的N-Channel 40-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于同步整流和电源供应系统。它采用TrenchFET技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。本产品特别适用于开关电源、逆变器和其他需要高效能功率转换的应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | 40 V |
    | 源漏二极管连续电流 | 110 A |
    | 源漏二极管脉冲电流 | 200 A |
    | 最大功率耗散 | 312 200 | W |
    | 导通电阻(VGS = 10 V)| 0.0050 Ω |
    | 导通电阻(VGS = 4.5 V)| 0.0065 Ω |
    | 总栅极电荷 | 80 | 120 nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在10V栅极电压下,导通电阻仅为0.0050Ω,提供出色的导电性能。
    - 高可靠性:所有产品均经过全面的UIS测试和栅极电阻测试,确保可靠性和长期稳定性。
    - 快速开关性能:具有较低的输入、输出和转移电容,实现更快的开关速度。
    - 宽温度范围:能在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作,适用于恶劣环境下的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:用于高效率的DC-DC转换器、电池充电器、LED驱动器等。这些应用需要低功耗和高效能的功率转换。
    - 使用建议:
    - 确保栅极驱动电路设计合理,以避免过高的栅极电压,导致器件损坏。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,以保持器件的可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IPD80N04S3-06-VB可直接替换其他标准封装的N-Channel MOSFET,易于集成到现有设计中。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南、设计工具等。对于复杂应用的设计支持,可以通过服务热线400-655-8788联系VBsemi的技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 调整栅极驱动电阻Rg,优化开关速度。 |
    | 散热不足 | 改善散热设计,增加散热片或使用更高效的冷却方式。 |
    | 开关频率不匹配 | 调整电路布局和元器件选型,使开关频率与器件规格匹配。 |

    7. 总结和推荐


    IPD80N04S3-06-VB N-Channel 40-V MOSFET 是一款高性能的功率半导体器件,适用于各种高要求的电力转换应用。它具备低导通电阻、高可靠性及快速开关性能,使其成为市场上同类产品中的佼佼者。推荐在需要高效率、低损耗的电源管理方案中使用该产品。
    通过精心设计的应用和良好的技术支持,用户可以充分发挥IPD80N04S3-06-VB的优势,获得最佳的性能表现。

IPD80N04S3-06参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.0075Ω@VGS = 4.5 V,ID = 20 A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 312W
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 85A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD80N04S3-06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD80N04S3-06数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD80N04S3-06 IPD80N04S3-06数据手册

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