处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMP3A16GTA

ZXMP3A16GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -35V -6.2A 50mΩ@-10V SOT223
供应商型号: 15M-ZXMP3A16GTA SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMP3A16GTA

ZXMP3A16GTA概述


    产品简介


    ZXMP3A16GTA-VB是一款高性能的P沟道功率MOSFET,适用于负载开关和适配器开关等应用。它主要用于笔记本电脑和其他电子设备中,作为电源管理的关键组件。这款MOSFET具有低导通电阻和高效的热性能,使其在各类电源管理和电池供电系统中表现出色。

    技术参数


    以下是ZXMP3A16GTA-VB的技术规格和性能参数:
    - 漏源电压(VDS):-35 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TJ = 25 °C:-4.5 A
    - TJ = 70 °C:-3.4 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):-20 A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TJ = 25 °C:4.2 W
    - TJ = 70 °C:2.7 W
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):40-50 °C/W
    - 最大结到脚热阻(RthJF):24-30 °C/W
    - 栅源电容(Ciss):97 pF
    - 输出电容(Coss):120 pF
    - 反向传输电容(Crss):95 pF
    - 总栅极电荷(Qg):
    - VDS = -20 V, VGS = -10 V:23 nC
    - VDS = -20 V, VGS = -4.5 V:9.8 nC
    - 门极电阻(Rg):1.0-5.5 Ω
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55 °C 至 150 °C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):在不同栅源电压下的导通电阻分别为0.040 Ω(VGS = -10 V)和0.048 Ω(VGS = -4.5 V),使得该MOSFET在高电流环境下具有出色的能效。
    2. 100% RG测试:确保每个产品在出厂前都经过栅极电阻测试,保证了可靠性和一致性。
    3. 100% UIS测试:经过单脉冲雪崩能量测试,确保了在极端条件下的稳定性和可靠性。
    4. 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准,对环境保护友好。
    5. 符合RoHS指令:满足欧盟的环保要求,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    ZXMP3A16GTA-VB广泛应用于笔记本电脑的负载开关和适配器开关中。其高效率和低损耗特性,使其成为此类应用的理想选择。在这些应用中,MOSFET需要能够快速切换并承受较大的电流和电压变化。
    使用建议:
    - 确保栅极驱动信号足够强,以减少开关损耗。
    - 使用散热器来降低MOSFET的温度,特别是在高功率应用中。
    - 在设计电路时,合理布局MOSFET,避免因寄生电感引起的振铃效应。

    兼容性和支持


    ZXMP3A16GTA-VB采用SOT-223封装,具有良好的兼容性,适用于多种电路板设计。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、应用设计支持以及故障排除服务。用户可以通过服务热线400-655-8788获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何提高MOSFET的效率?
    - 解决办法:通过优化栅极驱动信号,降低栅极电荷,从而减少开关损耗。同时,确保使用合适的散热措施,如散热片,以减少热应力。
    问题2:MOSFET在高温下工作不稳定怎么办?
    - 解决办法:增加散热措施,例如加装散热片或风扇,以确保MOSFET在安全的工作温度范围内运行。同时,可以考虑使用具有更低热阻的产品。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMP3A16GTA-VB是一款具有高可靠性和高效能的P沟道功率MOSFET,适用于各种电源管理和电池供电系统的应用。其独特的特点和优势,使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐这款产品给那些追求高效能、高可靠性的工程师和技术人员。

ZXMP3A16GTA参数

参数
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 846pF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 10A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6.2A
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 35V
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMP3A16GTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMP3A16GTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMP3A16GTA ZXMP3A16GTA数据手册

ZXMP3A16GTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
13+ ¥ 0.4565
库存: 2218
起订量: 13 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:13
合计: ¥ 5.93
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336