处理中...

首页  >  产品百科  >  VB1695

VB1695

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-VB1695
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VB1695

VB1695概述

    VB1695 MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    VB1695 是一款 N 沟道 60-V(D-S)MOSFET,专为电池开关和 DC/DC 转换器等应用设计。该器件采用 TrenchFET® 技术,能够提供低导通电阻和高电流处理能力,是电源管理和电池管理系统的理想选择。

    技术参数


    以下是 VB1695 的主要技术规格和性能参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 60 V
    - 最大连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C: 4.0 A
    - TC = 70°C: 3.4 A
    - TA = 25°C: 3.1 A
    - TA = 70°C: 2.5 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 12 A
    - 最大源漏二极管电流 (IS):
    - TC = 25°C: 1.39 A
    - TA = 25°C: 0.91 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.8 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C: 1.66 W
    - TC = 70°C: 1.06 W
    - TA = 25°C: 1.09 W
    - TA = 70°C: 0.7 W
    - 最大结温 (TJ, Tstg): -55°C 到 150°C
    - 热阻 (RthJA): 最大 115°C/W
    - 热阻 (RthJF): 最大 75°C/W

    产品特点和优势


    - 无卤素材料: 符合 IEC 61249-2-21 标准,适用于对环保要求较高的应用。
    - 100% 测试: 包括 Rg 测试和 UIS 测试,确保每个器件的质量。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10 V 时,RDS(on) 为 0.075 Ω;在 VGS = 4.5 V 时,RDS(on) 为 0.086 Ω。
    - 高可靠性: 100% 测试保证,符合严格的可靠性标准。

    应用案例和使用建议


    VB1695 主要应用于电池开关和 DC/DC 转换器。对于电池开关应用,可以利用其高可靠性和低导通电阻特性,降低功耗并提高系统稳定性。对于 DC/DC 转换器,其低 RDS(on) 和高电流处理能力有助于提高转换效率。
    建议在使用时注意散热设计,以避免过高的温度影响器件性能。同时,根据具体应用需求选择合适的 VGS 值,以获得最佳的工作状态。

    兼容性和支持


    VB1695 与常见的 PCB 设计兼容,可以方便地安装在 SOT-23 封装上。制造商提供详细的技术支持和服务热线(400-655-8788),确保用户在使用过程中得到及时帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下,MOSFET 温度过高。
    - 解决方案: 加强散热措施,如增加散热片或改进散热路径。
    - 问题: 导通电阻较高。
    - 解决方案: 确保驱动电压达到最佳工作点,如 VGS = 10 V 或更高。

    总结和推荐


    VB1695 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性和良好的散热性能。适用于多种电力管理和电池管理系统应用。推荐给需要高效、稳定工作的工程师和技术人员使用。

VB1695参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@10V,96mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VB1695厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VB1695数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VB1695 VB1695数据手册

VB1695封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4774
库存: 29
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.38
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831