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FDC6327C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P沟道 20V 4.2A 36mΩ@4.5V;-20V -2.5A 83mΩ@-4.5V TSOP-6
供应商型号: 14M-FDC6327C TSOP-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDC6327C

FDC6327C概述

    FDC6327C-VB N-和P-通道20V(D-S)MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    FDC6327C-VB是一款结合了N-Channel和P-Channel的20V(D-S)功率MOSFET,专为高效率、低功耗的电源管理设计。此器件符合无卤素、RoHS标准,适用于多种电子设备和工业应用。该产品利用先进的TrenchFET技术,确保高效能和可靠性。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): \( \pm 20 \) V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): \( \pm 20 \) V
    - 连续漏电流 \(ID\): \( \pm 4 \) A (TA = 25°C), \( \pm 2.3 \) A (TA = 70°C)
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\): \( \pm 10.2 \) A (5 s)
    - 最大耗散功率 \(PD\): \( 1.15 \) W (TA = 25°C), \( 0.73 \) W (TA = 70°C)
    - 工作温度范围 \(TJ\) 和存储温度范围 \(T{STG}\): \(-55 \) 至 \( 150 \)°C
    - 热阻 \(R{thJA}\): \( 93 \) °C/W (最大),\( 130 \) °C/W (稳态)
    - 静态特性
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\): \( \pm 2.5 \) V (典型)
    - 零栅压漏极电流 \(I{DSS}\): \( \pm 5 \) μA
    - 开启状态漏极电流 \(I{D(on)}\): \( \pm 3.7 \) A (N-Channel),\( \pm 3 \) A (P-Channel)
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): \( 0.022 \) Ω (N-Channel),\( 0.055 \) Ω (P-Channel)

    - 动态特性
    - 总栅电荷 \(Qg\): \( 2.1 \) nC (N-Channel),\( 3.2 \) nC (P-Channel)
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): \( 0.7 \) nC (N-Channel),\( 0.9 \) nC (P-Channel)
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): \( 0.7 \) nC (N-Channel),\( 0.8 \) nC (P-Channel)
    - 栅极电阻 \(Rg\): \( 2.4 \) Ω (N-Channel),\( 3 \) Ω (P-Channel)
    - 开启延时时间 \(t{d(on)}\): \( 7 \) ns (N-Channel),\( 11 \) ns (P-Channel)
    - 上升时间 \(tr\): \( 9 \) ns (N-Channel),\( 12 \) ns (P-Channel)
    - 关闭延时时间 \(t{d(off)}\): \( 13 \) ns (N-Channel),\( 18 \) ns (P-Channel)
    - 下降时间 \(tf\): \( 5 \) ns (N-Channel),\( 7 \) ns (P-Channel)
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\): \( 35 \) ns (N-Channel),\( 30 \) ns (P-Channel)

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料: 符合RoHS标准及无卤素要求,适用于对环境有严格要求的应用场景。
    - 高效能: 利用TrenchFET技术,提高开关速度和导通电阻,降低损耗。
    - 高可靠性: 100% Rg测试确保每个器件均达到高标准,确保长期稳定运行。
    - 多功能应用: 适用于广泛的电源管理和控制场景,包括工业自动化、消费电子产品等。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: FDC6327C-VB可用于AC-DC转换器、电机驱动器、LED照明系统等,通过其高效的开关特性和低导通电阻显著提升系统性能。
    - 使用建议: 在使用过程中需注意散热,特别是在大电流应用中要保证良好的散热措施,以避免因过热而导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件采用TSOP-6封装,易于与其他电子元器件集成,适用广泛的应用环境。
    - 支持: 客户可联系VBsemi的服务热线400-655-8788获取技术支持,官网www.VBsemi.com提供详细的文档和资料。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何避免过热?
    - 解决方案: 使用合适的散热措施,如加装散热片或使用散热板。
    - 问题2: 设备无法正常启动?
    - 解决方案: 检查接线是否正确,确认供电电压和电流是否满足要求。
    - 问题3: 开关频率不稳定?
    - 解决方案: 检查栅极电阻和电容是否匹配,必要时进行调整。

    7. 总结和推荐


    FDC6327C-VB凭借其高效率、低功耗、可靠性和环境友好特性,成为电子设备电源管理的理想选择。推荐用于需要高效能和高可靠性的应用场景,尤其是工业自动化和消费电子产品中。如果您的项目需要高性能的功率MOSFET,这款产品值得考虑。

FDC6327C参数

参数
Id-连续漏极电流 4.2A,2.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 280pF
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@ 4.5V,83mΩ@ 4.5V
FET类型 N+P沟道
配置 -
栅极电荷 2.9nC@ 10V
最大功率耗散 1.15W
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDC6327C厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDC6327C数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDC6327C FDC6327C数据手册

FDC6327C封装设计

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