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UTT15P06G-TN3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-UTT15P06G-TN3-R TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT15P06G-TN3-R

UTT15P06G-TN3-R概述

    UTT15P06G-TN3-R-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT15P06G-TN3-R-VB 是一款由台湾 VBsemi 电子有限公司生产的 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品适用于各种电力转换和开关电路,如负载开关。它具有高性能和高可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。

    技术参数


    以下是该 MOSFET 的关键技术和性能参数:
    - 漏源电压 (VDS): 最大值为 60V。
    - 栅源电压 (VGS): 绝对最大值为 ±20V。
    - 连续漏电流 (ID): 在 25°C 下为 -30A,在 100°C 下为 -25A。
    - 关断状态漏电流 (IDSS): 在 VDS=-60V, VGS=0V, TJ=175°C 条件下,最大值为 -150μA。
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS=-10V, ID=-5A 条件下,典型值为 0.061Ω。
    - 在 VGS=-4.5V, ID=-2A 条件下,典型值为 0.072Ω。
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 在 VDS=-60V, VGS=0V 条件下,典型值为 -1μA。
    - 阈值电压 (VGS(th)): 在 VDS=VGS, ID=-250μA 条件下,范围为 -1.0V 到 -3.0V。
    - 总栅电荷 (Qg): 在 VDS=-30V, VGS=-10V, ID=-8.4A 条件下,典型值为 10nC。
    - 上升时间 (tr): 典型值为 15ns。
    - 下降时间 (tf): 典型值为 8ns。

    产品特点和优势


    1. 采用 TrenchFET® 技术:提供低导通电阻和高电流能力,减少功率损耗。
    2. 100% UIS 测试:确保产品具有可靠的雪崩耐受能力,提高长期稳定性。
    3. 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 175°C 的工作温度,适应多种恶劣环境。
    4. 高可靠性:通过严格的生产测试,确保产品在各种应用中的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    1. 负载开关:适合用于需要高开关频率和低损耗的应用,例如电机驱动器、电源管理和电池充电电路。
    2. 建议使用:在设计电路时,确保选择合适的散热片以防止过热。同时,根据具体应用需求合理设置栅极驱动信号,避免不必要的功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UTT15P06G-TN3-R-VB 采用 TO-252 封装,易于安装和焊接,与同类器件高度兼容。
    - 支持和服务:客户可以联系 VBsemi 官方服务热线(400-655-8788)获取更多技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流应用中,器件温度过高。
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用更大面积的散热片或风扇辅助散热。
    2. 问题:出现栅极噪声干扰。
    - 解决方案:增加栅极电阻或使用屏蔽线缆减少外部干扰。

    总结和推荐


    UTT15P06G-TN3-R-VB MOSFET 凭借其高可靠性和优异的电气特性,成为电力转换和开关电路的理想选择。其低导通电阻和高雪崩耐受能力使其在高温和高压环境下表现卓越。强烈推荐在需要高性能功率开关的应用中使用此产品。

UTT15P06G-TN3-R参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT15P06G-TN3-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT15P06G-TN3-R数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT15P06G-TN3-R UTT15P06G-TN3-R数据手册

UTT15P06G-TN3-R封装设计

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