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VBZL50N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263 由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: 14M-VBZL50N06 TO-263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZL50N06

VBZL50N06概述

    VBZL50N06 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    VBZL50N06 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,使其具有高电流处理能力和极低的导通电阻。此产品主要应用于开关电源、电机驱动和其他电力转换系统。

    2. 技术参数


    VBZL50N06 的关键技术和性能参数如下:
    - 最大结温:175°C
    - 漏源击穿电压:60V
    - 额定漏极连续电流(TJ = 175°C):75A
    - 脉冲漏极电流:200A
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V 时:11mΩ
    - VGS = 4.5V 时:12mΩ
    - 门源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 总栅极电荷(Qg):47nC
    - 输入电容(Ciss):4300pF
    - 热阻率(RthJA):15°C/W
    - 热阻率(RthJC):0.85°C/W

    3. 产品特点和优势


    VBZL50N06 具有多项独特的功能和优势:
    - 高温稳定性:结温可达 175°C,确保在极端环境下仍能正常工作。
    - 低导通电阻:通过 TrenchFET® 技术实现了超低的导通电阻,降低了功耗。
    - 高电流处理能力:能够承受高达 75A 的连续漏极电流和 200A 的脉冲电流。
    - 快速开关特性:具有低输入电容和快速的上升下降时间,适合高频应用。
    - 可靠性和耐用性:采用高质量材料制造,适用于严苛的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    VBZL50N06 主要用于开关电源、电机驱动和功率转换模块。例如,在一个典型的开关电源设计中,VBZL50N06 可以作为主开关管,利用其低导通电阻特性来降低损耗。为了更好地利用其性能,建议:
    - 使用低阻抗 PCB 材料,如 FR4,以减少寄生电阻。
    - 设计合理的散热路径,以保持 MOSFET 的温度在安全范围内。
    - 在设计中考虑栅极驱动电阻的选择,以确保快速而稳定的开关过程。

    5. 兼容性和支持


    VBZL50N06 采用 D2PAK (TO-263) 封装,易于集成到现有系统中。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括应用指南、技术支持热线和详尽的数据表。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:开关频率过高导致功耗增加。
    - 解决办法:调整栅极电阻以控制开关速度,选择适当的散热方案。
    - 问题 2:在高温环境中出现异常温度升高。
    - 解决办法:检查并优化散热设计,确保 MOSFET 的温度不超过安全范围。
    - 问题 3:电路中出现不稳定现象。
    - 解决办法:检查电路连接,确认所有元件正确安装,并使用适当的滤波电容。

    7. 总结和推荐


    VBZL50N06 以其卓越的性能、可靠性以及广泛的应用范围,成为许多电力转换系统的理想选择。其独特的高温稳定性和低导通电阻使其在高温、高电流环境中表现优异。我们强烈推荐此产品用于开关电源、电机驱动和各种电力转换应用。
    通过上述分析,VBZL50N06 不仅是一款性能优越的电子元器件,而且在实际应用中展现出极高的可靠性和稳定性,是广大工程师和技术人员的理想选择。

VBZL50N06参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 75A
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZL50N06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZL50N06数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZL50N06 VBZL50N06数据手册

VBZL50N06封装设计

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