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VBM2101M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-16A,RDS(ON),175mΩ@10V,210mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: VBM2101M TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM2101M

VBM2101M概述

    # P-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种单极性晶体管,具有高效率和低功耗的特点。该器件采用先进的沟槽结构,符合RoHS指令,适用于多种电路设计。这种MOSFET主要用于电源开关、直流-直流转换器等场合。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | - 100 | V |
    | 持续漏电流 (TC=25°C) | - 23 | A |
    | 瞬态漏电流 (IDM) | - 70 | A |
    | 最大功耗 (PD) | 52.1 | W |
    | 阈值电压 (VGS(th))| - 1 - 2.5 | V |
    | 开启电阻 (RDS(on))| 0.100 (VGS=-10V) | Ω |
    | 栅极电荷 (Qg) | 23.2/34.8 (VGS=-10V) | nC |
    | 栅极电阻 (Rg) | 1.2/5.7/11.5 | Ω |

    产品特点和优势


    特点
    - 采用沟槽结构(TrenchFET®),能够提供出色的电气性能。
    - 全面测试,确保可靠性(100% Rg和UIS测试)。
    - 符合RoHS标准,绿色环保。
    优势
    - 低开启电阻(0.100Ω),适用于需要高效能的电路。
    - 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内稳定工作。
    - 高速开关能力,特别适合高频电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    P-Channel 100V MOSFET广泛应用于电源管理和转换器电路中。例如,在直流-直流转换器中,可以作为开关元件来提高效率和减少损耗。此外,它也可用于功率放大器和其他需要高开关速度的应用中。
    使用建议
    1. 散热管理:由于该器件的最大功耗为52.1W,需要注意散热问题。推荐使用散热片或其他散热措施以保证长期稳定运行。
    2. 栅极驱动:使用合适的栅极电阻,如1Ω或更大,以防止过冲和振铃现象。根据负载和系统要求选择适当的栅极电荷。
    3. 电压稳压:使用合适的电压稳压器来确保栅极电压在安全范围内,避免过电压导致的损坏。

    兼容性和支持


    该器件与大多数标准电路板材料和装配工艺兼容。公司提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排查手册。如有任何技术问题,可联系我们的服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. Q:在使用过程中,发现器件发热严重。
    - A: 这可能是散热不良导致的。检查散热措施是否到位,必要时增加散热片或散热风扇。
    2. Q:栅极电压不稳定。
    - A: 检查供电电源是否稳定,并确保使用合适的栅极电阻。
    3. Q:在高频应用中出现振铃现象。
    - A: 减小栅极电阻,或者在栅极添加RC滤波器以消除振铃。

    总结和推荐


    P-Channel 100V MOSFET凭借其优异的电气特性和高效能,成为电源管理和转换器应用的理想选择。其出色的热稳定性和低功耗特性使其在许多领域具备广泛的适用性。我们强烈推荐使用该器件,特别是对于那些需要高效且可靠电力转换的设计。
    通过上述分析可以看出,P-Channel 100V MOSFET是一款高性能的产品,无论是从电气性能还是应用场景方面都表现出色,因此我们对其非常推荐。

VBM2101M参数

参数
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 175mΩ@10V,210mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Id-连续漏极电流 16A
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM2101M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM2101M数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM2101M VBM2101M数据手册

VBM2101M封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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