处理中...

首页  >  产品百科  >  FQT5P10TF

FQT5P10TF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -100V -3A 200mΩ@-10V SOT223
供应商型号: 14M-FQT5P10TF SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQT5P10TF

FQT5P10TF概述


    产品简介


    FQT5P10TF-VB 是一款高性能P沟道100V(漏极-源极)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,以实现低导通电阻和高可靠性。这款电子元器件主要用于中间直流/直流电源的有源钳位和照明应用中的H桥高端开关。通过表面安装在1英寸×1英寸FR4基板上,FQT5P10TF-VB 提供了稳定的电气特性和可靠的热管理性能。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): -100V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C): -3.0A
    - 最大功率耗散 (TA = 25°C): 6.5W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 11.25mJ
    - 工作结温范围: -55°C 至 150°C
    - 典型规格(TJ = 25°C)
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)) @ VGS=-10V, ID=-3A: 0.200Ω
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)) @ VGS=-6V, ID=-2A: 0.230Ω
    - 前向转移电导 (gfs): 12S
    - 输入电容 (Ciss): 819pF
    - 输出电容 (Coss): 51pF
    - 反向传输电容 (Crss): 32pF
    - 总栅电荷 (Qg): 17.5-32nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 10-20ns
    - 上升时间 (tr): 55-95ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 20-40ns
    - 下降时间 (tf): 15-30ns

    产品特点和优势


    - 高效能:采用TrenchFET®技术,提供低导通电阻(0.200Ω @ VGS=-10V, ID=-3A),确保在高电流条件下具有较低的功耗。
    - 高可靠性:所有样品都经过了栅电阻(Rg)和雪崩耐受力测试(UIS),保证其长期稳定运行。
    - 温度稳定性:额定工作温度范围宽广(-55°C 至 150°C),适合各种极端环境下的应用。
    - 快速响应:得益于低开启延迟时间和上升时间,FQT5P10TF-VB 在快速切换应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    - 有源钳位:适用于中间直流/直流电源,用于提高转换效率并减少损耗。
    - H桥高端开关:广泛应用于LED照明系统中,能够实现高效且精确的电压调节。
    使用建议:为确保最佳性能,应根据具体应用要求选择合适的驱动电压和栅电阻值,同时注意散热设计,避免过高的温度影响其寿命和性能。

    兼容性和支持


    FQT5P10TF-VB 具有良好的互操作性,可以轻松集成到现有的电路设计中。制造商提供详尽的技术文档和在线支持,帮助用户进行选型和调试。对于需要更多技术支持的客户,可联系400-655-8788获取详细咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:为什么我的MOSFET在某些情况下发热严重?
    解决方案:确保正确选择和配置散热片,避免负载电流过大导致过热。检查电路设计是否合理,特别是电源管理和驱动电路部分。

    - 问题2:在快速开关应用中,如何减少EMI干扰?
    解决方案:使用合理的布局和去耦电容来减小线路寄生电感,从而降低EMI。同时优化驱动电路的设计,确保波形平滑。

    总结和推荐


    FQT5P10TF-VB凭借其出色的导通电阻、快速的开关速度和宽泛的工作温度范围,在各种高压高电流应用中表现出色。尽管价格可能略高于其他型号,但其卓越的性能和可靠性使其成为许多工程师的首选。强烈推荐用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

FQT5P10TF参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@10V
Id-连续漏极电流 3A
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 819pF@35V
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 4.5nC@ 15V
通道数量 -
最大功率耗散 6.5W
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQT5P10TF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQT5P10TF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQT5P10TF FQT5P10TF数据手册

FQT5P10TF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.1918
库存: 829
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336