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NP55N055SUG-E1-AY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: NP55N055SUG-E1-AY TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP55N055SUG-E1-AY

NP55N055SUG-E1-AY概述

    NP55N055SUG-E1-AY-VB 技术手册解析

    1. 产品简介


    NP55N055SUG-E1-AY-VB 是一款 N 沟道增强型 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。这款电子元器件采用 TO-252 封装形式,具有高耐温能力和高性能特性,广泛应用于高压开关电路、电机控制、汽车电子等领域。
    主要功能和特点:
    - 支持高达 175℃ 的结温(Junction Temperature),适合高温环境;
    - 使用先进的 TrenchFET® 技术,提高开关速度和效率;
    - 超低导通电阻(RDS(on)),减少功耗,提升整体系统效率;
    - 高可靠性设计,适用于工业级和汽车级应用。

    2. 技术参数


    以下是 NP55N055SUG-E1-AY-VB 的关键技术参数表:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1.23 | - | - | V |
    | 栅极漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 1 µA | - |
    | 漏源导通电阻(典型值) | RDS(on) | 0.013 | - | 0.020 | Ω |
    | 漏极连续电流(结温 175℃) | ID | - | 60 | - | A |
    | 功耗 | PD | - | 136 | - | W |
    | 栅极总电荷 | Qg | 47 | - | 70 | nC |
    工作环境:
    - 工作结温和存储温度范围:-55℃ 至 175℃。
    - 最大结壳热阻(RthJC):0.85 至 1.1°C/W。

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 高温适应性:结温可达 175℃,特别适用于恶劣环境下的工业设备和汽车电子系统。
    - 低导通电阻:典型 RDS(on) 值仅为 0.013Ω,极大降低功率损耗,非常适合需要高效能的场合。
    - 先进封装设计:TO-252 封装便于安装且散热性能优越。
    - 快速开关性能:得益于 TrenchFET 技术,开关延迟时间短,适合高频应用。
    市场竞争力:
    - 在高压、高温环境中,与竞品相比,其更低的导通电阻和更长的工作寿命使其成为市场上的优选产品。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    1. 电机驱动电路:适合用于工业机器人、泵类设备中的电机驱动模块。
    2. 开关电源:作为开关管,优化开关频率,提升电源效率。
    3. 汽车电子:可应用于车载空调系统或引擎控制系统中。
    使用建议:
    - 在高温环境下,确保良好的散热措施以延长使用寿命。
    - 在高频开关时,考虑其总电荷和开关延时对整体电路的影响。
    - 建议搭配低阻抗栅极驱动器以优化驱动性能。

    5. 兼容性和支持


    NP55N055SUG-E1-AY-VB 支持广泛的外围电路兼容性,可用于大多数常见的 PCB 设计。厂商提供 400-655-8788 客服热线及官网技术支持,帮助客户解决使用中的技术难题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间过长 | 检查驱动电路阻抗是否过高 |
    | 过流保护触发频繁 | 减少负载电流,检查负载是否正常连接 |
    | 热管理效果差 | 增加散热片或优化 PCB 散热布局 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    NP55N055SUG-E1-AY-VB 在高温、高压场景下表现出色,凭借其低导通电阻、高可靠性和优良的开关性能,非常适合作为工业和汽车领域的核心电子元器件。
    推荐结论:
    对于需要高效能和高温环境适应性的设计项目,强烈推荐使用 NP55N055SUG-E1-AY-VB。厂商提供的支持和服务进一步增强了其市场竞争力,值得信赖。
    联系信息
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)
    服务热线:400-655-8788
    以上是关于 NP55N055SUG-E1-AY-VB 的全面技术解析,希望对您的应用设计提供有益参考!

NP55N055SUG-E1-AY参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.020Ω@VGS = 10 V,ID = 20 A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 58A
最大功率耗散 136W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NP55N055SUG-E1-AY厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP55N055SUG-E1-AY数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP55N055SUG-E1-AY NP55N055SUG-E1-AY数据手册

NP55N055SUG-E1-AY封装设计

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