处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,3.1A,RDS(ON),126mΩ@10V,139mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: 14M-ZXMN10A07ZTA SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA概述

    ZXMN10A07ZTA-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZXMN10A07ZTA-VB 是一款由 VBsemi 生产的N沟道100V耐压(D-S)MOSFET。这款MOSFET属于 TrenchFET® Power MOSFET 类型,具备出色的性能和可靠性。它主要应用于DC/DC转换器、升压转换器、液晶电视LED背光和移动计算的电源管理等领域。

    技术参数


    - 耐压能力:漏源电压(VDS)高达100V。
    - 连续漏电流:在结温150℃时可达4.2A,在25℃时可达3.2A。
    - 脉冲漏电流:最大瞬态漏电流为15A。
    - 最大功率耗散:在25℃时为2.5W,在70℃时为1.6W。
    - 结到外壳热阻:最大值为50°C/W。
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):100V。
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.2至3V。
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100nA。
    - 正向导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 2A 时为0.1Ω。
    - VGS = 6V, ID = 1A 时为0.120Ω。
    - VGS = 4.5V, ID = 1A 时为0.125Ω。
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):196pF。
    - 输出电容(Coss):67pF。
    - 反向转移电容(Crss):14pF。
    - 总栅极电荷(Qg):5.2至10.4nC。
    - 栅源电荷(Qgs):1nC。
    - 栅漏电荷(Qgd):1.4nC。
    - 栅极电阻(Rg):f = 1MHz时为0.9Ω至4.3Ω。


    产品特点和优势


    - 高可靠性:该MOSFET经过100% Rg和UIS测试,确保了高可靠性和长寿命。
    - 低导通电阻:最小导通电阻仅为0.1Ω,适用于需要高效率的应用场合。
    - 优秀的温度稳定性:即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
    - 高速开关:快速的开关特性使得该MOSFET特别适合高频电路。
    - 低漏电流:确保在关断状态下的低漏电流,减少不必要的能量损失。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC转换器:ZXMN10A07ZTA-VB可以有效地提高转换效率,尤其是在高频应用中。
    - 升压转换器:由于其低导通电阻,它非常适合于要求高效能的升压转换器。
    - 液晶电视LED背光:ZXMN10A07ZTA-VB可以提供稳定且高效的电源管理,确保LED背光的正常运行。
    - 移动计算电源管理:适用于笔记本电脑和其他便携式设备,以实现高效的电源管理和节能效果。
    使用建议:
    - 散热设计:考虑到其较高的功耗和工作温度范围,建议采用有效的散热措施来保证其长期稳定运行。
    - 外围电路设计:选择合适的驱动电路和滤波电路,以进一步提高整体性能和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXMN10A07ZTA-VB可与其他标准的SOT89封装的元器件兼容,方便集成到现有的电路板设计中。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,用户可以通过其官方服务热线 400-655-8788 获得及时的技术咨询和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据电路的具体需求,通常选择0.1Ω至1Ω之间的驱动电阻,具体值取决于驱动电压和频率。
    2. 问题:如何防止MOSFET过热?
    - 解决方案:采用适当的散热措施,如增加散热片或者风扇,同时确保良好的电路布局以促进空气流通。
    3. 问题:如何降低MOSFET的漏电流?
    - 解决方案:合理选择栅极驱动电压,确保在开关操作时栅极电压能够迅速上升和下降。

    总结和推荐


    ZXMN10A07ZTA-VB N-Channel MOSFET 具备出色的性能和可靠性,特别适用于需要高效率和稳定性的各种应用场景。无论是对于工程师还是最终用户,这款MOSFET都是一个值得信赖的选择。我们强烈推荐使用这款产品,尤其是对于那些追求高性能和可靠性的设计。

ZXMN10A07ZTA参数

参数
栅极电荷 10.4nC
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.5W
Rds(On)-漏源导通电阻 102mΩ@ 10V,4.2A
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 196pF
Id-连续漏极电流 4.2A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN10A07ZTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN10A07ZTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA数据手册

ZXMN10A07ZTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.5263
库存: 20
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.63
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0