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IRLR024NTR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
供应商型号: 14M-IRLR024NTR TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR024NTR

IRLR024NTR概述

    # IRLR024NTR-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLR024NTR-VB 是一款由VBsemi制造的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换应用。该产品采用了先进的TrenchFET®工艺,具备高可靠性及高性能特点。其主要应用领域包括直流/直流转换器、直流/交流逆变器和电机驱动系统。

    技术参数


    以下是IRLR024NTR-VB的关键技术参数和性能指标:
    | 参数名称 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) 60 | V |
    | 门源电压(VGS) | ±20 V |
    | 持续漏电流(ID) | 8 1 | A |
    | 脉冲漏电流(IMD) | 25 A |
    | 雪崩击穿电流(IAS) | 15 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 11.25 mJ |
    | 静态导通电阻(RDS(on)) | 0.073 | 0.085 Ω |
    | 输入电容(Ciss) | 6 | 60 pF |
    | 输出电容(Coss) | 85 pF |
    | 反向传输电容(Crss) | 40 pF |
    | 总门极电荷(Qg) | 19.8 | 30 nC |

    产品特点和优势


    1. 先进的TrenchFET®工艺:提供出色的开关特性和低导通电阻。
    2. 100% Rg和UIS测试:确保产品质量和可靠性。
    3. 宽泛的工作温度范围:从-55°C到150°C,适应各种恶劣环境。
    4. 低导通电阻:典型值为0.073Ω (VGS = 10V),显著降低功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRLR024NTR-VB MOSFET常用于以下场合:
    - 直流/直流转换器:适用于需要高效能、高功率密度的应用。
    - 直流/交流逆变器:用于电源逆变,满足高效能源转换需求。
    - 电机驱动系统:能够承受大电流并保持高效转换效率。
    使用建议
    1. 考虑散热设计:由于该器件工作时会产生一定热量,需确保良好的散热条件,避免过热损坏。
    2. 注意工作电压限制:根据应用场景选择合适的工作电压,避免超过最大额定电压。
    3. 合理布局:考虑到寄生电容和电感的影响,合理布局PCB走线以减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRLR025NTR-VB MOSFET与大多数标准PCB贴片技术兼容,易于集成于现有电路中。
    - 技术支持:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,可通过服务热线400-655-8788进行咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 过热现象
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热设计,如铜质散热器。
    2. 性能下降
    - 解决方案:检查工作环境温度,确认是否超出规定范围;重新校准电流和电压参数。
    3. 损坏迹象
    - 解决方案:及时更换损坏的器件,防止故障扩散影响其他部件。

    总结和推荐


    IRLR024NTR-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道60V MOSFET。它具有出色的开关特性和低导通电阻,广泛应用于多种电力转换系统中。虽然价格较高,但由于其卓越的性能和可靠性,推荐在对性能要求较高的应用场景中使用。对于普通需求的用户,可以根据实际情况评估性价比后做出决策。

IRLR024NTR参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18.2A
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR024NTR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR024NTR数据手册

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IRLR024NTR封装设计

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