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IPD30N06S2L-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD30N06S2L-13 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13概述

    IPD30N06S2L-13-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    IPD30N06S2L-13-VB 是一款采用沟槽式场效应晶体管(TrenchFET®)技术的N沟道功率MOSFET器件。其主要功能是作为开关或放大元件在各种电力转换应用中提供高效的电流控制。该器件被广泛应用于开关电源、电机驱动、通信设备和汽车电子等领域。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 漏源导通电阻(rDS(on)):0.025 Ω(VGS=10 V, ID=15 A)
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):60 V
    - 门阈电压(VGS(th)):1.0 ~ 3.0 V
    - 最大门源泄漏电流(IGSS):± 100 nA(VDS=0 V, VGS=± 20 V)
    - 最大门极电荷(Qg):11 ~ 17 nC(VDS=30 V, VGS=10 V, ID=23 A)
    - 最大脉冲漏电流(IDM):100 A
    - 绝对最大结温(Tj):175 °C
    - 工作条件:
    - 连续漏极电流(ID):25 A(Tj=25 °C),100 A(Tj=100 °C)
    - 最大功耗(PD):100 W(Tj=25 °C)
    - 热阻(RthJA):18 ~ 22 °C/W(t≤10 秒)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性和稳定性:能够在高达175 °C的结温下工作,确保在高温环境下的稳定运行。
    2. 低漏源导通电阻:典型值为0.025 Ω,可有效降低损耗,提高能效。
    3. 高击穿电压:额定击穿电压为60 V,能够承受较高的电压波动。
    4. 低门阈电压:门阈电压范围宽泛,使得驱动更加方便灵活。
    5. 低栅极电荷:11 ~ 17 nC 的总栅极电荷,有助于降低开关损耗,提高开关频率。

    应用案例和使用建议


    IPD30N06S2L-13-VB 广泛应用于各类开关电源设计,例如LED驱动电源、适配器电源等。它可以在高频环境下高效工作,适用于需要低损耗和高效率的应用场合。建议在设计电路时注意散热管理,确保工作温度不超过器件的绝对最大额定值,以延长器件寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD30N06S2L-13-VB 具有标准的TO-252封装形式,易于与现有系统集成。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、设计参考和常见问题解答,便于用户快速上手和解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确选择合适的散热措施?
    - 答:选择合适的散热措施对于保证IPD30N06S2L-13-VB的稳定运行至关重要。建议根据器件的最大功耗和环境温度,合理设计散热片的尺寸和热传导路径。

    2. 问:如何确保长寿命和高可靠性?
    - 答:要确保器件的长寿命和高可靠性,需严格遵守器件的工作温度范围,并采取有效的散热措施,避免过载运行。

    总结和推荐


    综上所述,IPD30N06S2L-13-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有优异的电气特性和稳定性。其在各种电力转换应用中表现出色,适合用于高要求的工业和汽车电子领域。因此,强烈推荐使用这款器件来提升系统的整体性能和可靠性。

IPD30N06S2L-13参数

参数
最大功率耗散 100W
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 35A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.069Ω@VGS = 10 V,ID = 15 A,TJ = 175 °C
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD30N06S2L-13厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD30N06S2L-13数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD30N06S2L-13 IPD30N06S2L-13数据手册

IPD30N06S2L-13封装设计

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