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VBZF4N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,4A,RDS(ON),1440mΩ@10V,1800mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: VBZF4N60 TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZF4N60

VBZF4N60概述


    产品简介


    VBZF4N60 N-Channel MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种电力转换应用。该器件的主要功能包括提供低导通电阻(RDS(on))、高频率操作能力以及良好的热稳定性和重复雪崩耐受能力。它广泛应用于工业自动化、电机控制、电源管理及各种高频开关电路。

    技术参数


    - VDS (最大电压): 600V
    - RDS(on) (最大电阻): 2.2Ω @ VGS=10V
    - Qg (最大栅极电荷): 39nC
    - Qgs (栅极电荷): 10nC
    - Qgd (栅极-漏极电荷): 19nC
    - 配置: 单通道N沟道
    - 绝对最大额定值:
    - VDS: 600V
    - VGS: ±30V
    - 连续漏极电流: 4A @ TC=25°C, 2.9A @ TC=100°C
    - 单脉冲雪崩能量: 530mJ
    - 最大功耗: 125W @ TC=25°C
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    VBZF4N60 N-Channel MOSFET 拥有多个独特的功能和优势:
    - 超低门极电荷:减少门极驱动需求,提高系统效率。
    - 增强型30V VGS额定值:适用于更广泛的电压条件。
    - 较低的Ciss、Coss、Crrs:提高高频操作性能。
    - 重复雪崩耐受性:保证长期可靠运行。
    - 符合RoHS指令:环保材料,适合在各种应用中使用。

    应用案例和使用建议


    VBZF4N60 N-Channel MOSFET 广泛应用于多种场合,例如:
    - 工业自动化:用于伺服电机控制,能够有效降低系统能耗。
    - 电源管理:适合高频开关电源设计,提高转换效率。
    - 电机控制:适用于变频器和逆变器,提供稳定的电流输出。
    使用建议:
    - 确保驱动信号与阈值电压匹配,以获得最佳性能。
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    VBZF4N60 N-Channel MOSFET 可以与常见的电源管理和电机控制系统无缝集成。厂商提供详尽的技术文档和支持,包括样品请求、定制解决方案和技术咨询,帮助用户优化其设计方案。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何选择合适的驱动电路?
    - A: 选择合适的栅极驱动电阻(Rg)以确保门极电荷快速充放电。建议参考应用中的典型波形进行调整。

    - Q: 如何改善散热性能?
    - A: 使用适当的散热器和热界面材料,确保MOSFET的工作温度低于最高工作温度限制。可以通过热仿真软件进行模拟,验证散热方案的有效性。

    - Q: 如何避免过压损坏?
    - A: 使用保护电路如TVS二极管,防止电压瞬态损坏器件。确保所有外部连接遵循器件的最大额定值。

    总结和推荐


    总体而言,VBZF4N60 N-Channel MOSFET 在低导通电阻、高频率操作和重复雪崩耐受性方面表现出色,特别适合于需要高效能、高可靠性的电力转换应用。厂商提供的全面支持和丰富的技术文档使得其易于集成到各种设计中。因此,我们强烈推荐此产品给那些寻求高性能和高可靠性的设计者。
    联系方式:服务热线:400-655-8788

VBZF4N60参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 1440mΩ@10V,1800mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 4A
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZF4N60厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZF4N60数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZF4N60 VBZF4N60数据手册

VBZF4N60封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.749
100+ ¥ 1.6195
500+ ¥ 1.4899
4000+ ¥ 1.4251
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