处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -60V -6.5A 50mΩ@-10V TSOP-6
供应商型号: 14M-ZXMP6A17E6TA TSOP-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA概述

    ZXMP6A17E6TA-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZXMP6A17E6TA-VB 是一款P沟道60V功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于TrenchFET®系列。这款产品主要用于负载开关(Load Switch)应用,如电源管理、电机控制等领域。其主要功能是通过控制电路中的电流来实现电压调节和电源通断,具有低导通电阻和高可靠性等特点。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):-60V
    - 最大连续漏极电流 (ID):-6.5A(@25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-5.5A(@25°C)
    - 最大源极-漏极二极管电流 (IS):-6.5A(@25°C)
    - 最大耗散功率 (PD):3.0W(@25°C)
    - 最高工作结温 (TJ):-55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA):55°C/W(@25°C)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS):-60V
    - 漏源开启电阻 (RDS(on)):0.075Ω(@VGS=-10V, ID=-2.1A)
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):-1μA(@VDS=-48V, VGS=0V)
    - 动态特性
    - 总栅极电荷 (Qg):10nC(@VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-2.1A)
    - 输入电容 (Ciss):1000pF
    - 输出电容 (Coss):80pF
    - 反向转移电容 (Crss):63pF

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 为 0.075Ω,适用于高效率的应用场景。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,保证长期稳定运行。
    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准,适用于环保要求高的应用。
    - 高功率密度:封装紧凑,适合小型化设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:用于负载开关的电源管理电路,特别是在电机控制、电池管理和通信设备中。
    - 使用建议:在选择栅极驱动器时,确保驱动能力足够以快速充电和放电栅极电容。例如,ZXMP6A17E6TA-VB 的总栅极电荷为 10nC,在1MHz频率下,栅极电阻 Rg 约为 7Ω。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有的电源管理芯片和控制器兼容,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持和服务:请联系台湾VBsemi的客服热线400-655-8788获取更多技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最佳的工作温度范围?
    - 解决方案:ZXMP6A17E6TA-VB 的工作温度范围为-55°C 至 +150°C,可以根据具体应用场景选择合适的温度范围,避免超出最大温度限制。
    - 问题:如何防止过载导致的损坏?
    - 解决方案:使用适当的散热措施,例如加装散热片或散热器,并且不要超过规定的最大功率耗散(PD)值。

    7. 总结和推荐


    ZXMP6A17E6TA-VB是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,特别适用于高效率、高可靠性要求的应用场合。其低导通电阻和紧凑的封装使其成为电源管理领域的理想选择。推荐在需要高效率和可靠性的电源管理和电机控制应用中使用此产品。

ZXMP6A17E6TA参数

参数
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 950pF@15V
栅极电荷 17.7nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 3W
Id-连续漏极电流 6.5A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZXMP6A17E6TA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMP6A17E6TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMP6A17E6TA ZXMP6A17E6TA数据手册

ZXMP6A17E6TA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.8944
库存: 200
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 4.47
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336