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VBZM12N65

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: VBZM12N65 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM12N65

VBZM12N65概述


    产品简介


    VBZM12N65是一款N沟道650V功率MOSFET,适用于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明和工业应用。它的特点是具有低导通电阻(RDS(on)),低输入电容(Ciss),并且具有较高的雪崩耐受能力。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大连续漏电流(ID):12 A(TC = 25 °C),9.4 A(TC = 100 °C)
    - 脉冲漏电流(IDM):45 A
    - 最大功率耗散(PD):34 W
    - 热阻(RthJA):60 °C/W
    - 最大栅源阈值电压(VGS(th)):2 V至4 V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):1 μA(VDS = 650 V,VGS = 0 V)
    - 导通电阻(RDS(on)):0.085 Ω(VGS = 10 V,ID = 8 A)
    - 输入电容(Ciss):2200 pF(VGS = 0 V,VDS = 100 V,f = 1 MHz)
    - 总栅电荷(Qg):43 nC(VGS = 10 V,ID = 8 A,VDS = 520 V)

    产品特点和优势


    1. 低FOM(Ron x Qg):提高了转换效率,降低了能量损耗。
    2. 低输入电容(Ciss):减小了栅极驱动的损耗。
    3. 降低的开关和传导损耗:提升了整体性能。
    4. 超低栅极电荷(Qg):简化了驱动电路设计,提高了系统的可靠性和效率。
    5. 雪崩耐受能力:能够在高压和高电流条件下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源:VBZM12N65可以用于数据中心的电源系统,提高能效并减少热量产生。
    - 照明应用:适合高强光灯(HID)和荧光灯球泡,能够实现更高效的光输出。
    - 工业应用:适用于需要高压和高可靠性应用的场景。
    使用建议:
    - 散热设计:确保良好的散热设计以防止高温导致的性能下降。
    - 驱动电路优化:优化栅极驱动电路以减少栅极电荷的影响,从而提高系统效率。
    - 应用特定配置:根据具体应用场景调整驱动电压和电流,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    VBZM12N65与大多数标准电源模块和控制系统兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括安装指南、故障排除工具以及产品更新通知。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:系统过热导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:确保系统有足够的散热措施,如使用散热片和风扇。
    2. 问题:驱动电路不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保驱动电压和电流符合要求。
    3. 问题:功率损耗大。
    - 解决方案:优化电路布局,减小寄生电感和电容的影响。

    总结和推荐


    VBZM12N65是一款高效且可靠的N沟道650V功率MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用范围。它特别适合在服务器、电信电源、开关电源以及各种照明和工业控制应用中使用。其低FOM、低输入电容和高耐受性使其成为市场上最具竞争力的产品之一。强烈推荐给寻求高性能电源解决方案的设计工程师和制造商。

VBZM12N65参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM12N65厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM12N65数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM12N65 VBZM12N65数据手册

VBZM12N65封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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