处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD60R600E6

IPD60R600E6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD60R600E6 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R600E6

IPD60R600E6概述

    IPD60R600E6-VB Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IPD60R600E6-VB 是一种高性能的 N-沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统,尤其是高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器照明系统。这款 MOSFET 在工业应用中也表现出色,能够提供卓越的性能和可靠性。

    2. 技术参数


    - 最大击穿电压 (VDS): 650 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 30 V
    - 连续漏极电流 (ID): 25 °C 时为 70 A,100 °C 时为 40 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 83 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 5 W
    - 绝对最大结温范围 (TJ, Tstg): -55 至 +150 °C
    - 输出电容相关参数:
    - \( C{oss}(er) \): 有效输出电容
    - \( C{oss}(tr) \): 有效输出电容
    - \( C{oss} \): 输出电容
    - \( C{rss} \): 反向传输电容
    - 热阻率参数:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 63 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.6 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗: 具有较低的开关损耗和导通损耗。
    - 快速响应: 极低的栅极电荷 (Qg),适合高频应用。
    - 可靠性高: 复杂的应用场景中仍能保持良好的电气特性和热稳定性。
    - 适用广泛: 能够满足各种不同的电力转换需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: IPD60R600E6-VB 在数据中心和通信基站的电源系统中有着广泛应用。它能够承受高频率和大电流的需求,确保系统的稳定运行。
    - SMPS 和 PFC 电源: 在这些电源系统中,MOSFET 的高击穿电压和低导通电阻可以提高系统的效率和可靠性。
    - HID 照明: 用于控制和调节高强度放电灯的工作状态,能够提供稳定的光照效果。
    - 使用建议: 在使用过程中,确保合理的电路布局以减少寄生电感,使用合适的散热器以保证良好的热管理。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种标准的电源设计,如 TO-252 封装,易于安装和集成。
    - 支持和服务: 提供详尽的技术文档和售后服务,可通过官网和技术热线获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高频操作下出现过热现象。
    - 解决方案: 检查并优化电路布局,确保适当的散热措施。
    - 问题: 开关过程中出现异常噪声。
    - 解决方案: 调整栅极电阻值,选择合适的驱动器以减少开关噪声。

    7. 总结和推荐


    总体来看,IPD60R600E6-VB 功率 MOSFET 在多个应用领域表现出色,具有优异的性能和可靠性。推荐用于需要高可靠性和高效能的电源管理系统,特别是在数据中心、通信基站和高端工业控制系统中。
    如果您对我们的产品有任何疑问或需要技术支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问我们的官方网站 www.VBsemi.com 获取更多信息。

IPD60R600E6参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD60R600E6厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD60R600E6数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD60R600E6 IPD60R600E6数据手册

IPD60R600E6封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.1033
库存: 50
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 10.51
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0