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HUFA76429D3ST_F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-HUFA76429D3ST_F085 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUFA76429D3ST_F085

HUFA76429D3ST_F085概述

    电子元器件产品技术手册:HUFA76429D3STF085-VB

    1. 产品简介


    HUFA76429D3STF085-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 TrenchFET® 系列。该产品广泛应用于开关电源、电机驱动、电源管理等电子设备中。其主要功能是在控制信号的驱动下实现电流的高效切换,以实现电力转换和控制。

    2. 技术参数


    - 基本特性
    - 漏极-源极电压 \( V{DS} \): 60V
    - 漏极-源极导通电阻 \( r{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \text{V} \), \( ID = 15 \text{A} \): 0.025Ω (标准温度)
    - \( V{GS} = 10 \text{V} \), \( ID = 15 \text{A} \), \( TJ = 175^\circ\text{C} \): 0.069Ω
    - \( V{GS} = 4.5 \text{V} \), \( ID = 10 \text{A} \): 0.030Ω
    - 栅极-源极击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 60V
    - 栅极-体泄漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 3nC
    - 源极-漏极二极管正向电压 \( V{SD} \): 1.0V ~ 1.5V
    - 电气特性
    - 最大栅极-源极电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( I{D} \): 100A (标准温度 \( TC \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 100A
    - 单次雪崩能量 \( E{AS} \): 20mJ (占空比 ≤ 1%)
    - 最大功耗 \( PD \): 100W (标准温度 \( TA \))
    - 最大工作结温 \( TJ \): -55°C ~ 175°C
    - 热阻
    - 最大结至环境热阻 \( R{thJA} \): 18°C/W ~ 22°C/W (短时 < 10秒)
    - 最大结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 3.2°C/W ~ 4°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:该产品采用 TrenchFET® 结构,能够在高温环境下正常工作(最高结温可达 175°C)。
    - 低导通电阻:在标准条件下,漏极-源极导通电阻仅为 0.025Ω,有助于减少功率损耗。
    - 宽工作温度范围:工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适应恶劣的工作环境。
    - 快速响应:具有较低的门极电荷 \( Qg \) 和快速的上升时间 \( tr \),适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该产品适用于多种应用,如直流-直流转换器、电池充电器、LED 驱动器等。在这些应用中,该产品能够提供高效稳定的电力转换。
    - 使用建议:
    - 确保良好的散热设计,特别是在高功率应用中,避免由于过热导致的失效。
    - 注意门极驱动电路的设计,确保门极电荷 \( Qg \) 与门极驱动电阻匹配,以实现快速开关。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与各种标准 PCB 封装兼容,例如 TO-252 封装,易于集成到现有的电子设备中。
    - 支持:制造商提供详细的使用指南和技术支持,以帮助用户优化产品性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品在高功率应用中温度过高。
    - 解决方法: 使用较大的散热片或风扇增强散热效果,确保良好的通风条件。
    - 问题2: 开关过程中出现过大的电磁干扰。
    - 解决方法: 优化门极驱动电路,增加滤波电容,降低噪声。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - HUFA76429D3STF085-VB 的低导通电阻和高可靠性使其成为开关电源和电源管理的理想选择。
    - 宽广的工作温度范围和快速响应使其在各种严苛环境中表现出色。
    推荐:
    - 推荐在需要高效率、高可靠性的场合使用该产品。特别是在需要应对高温环境或需要快速响应的应用中,这款 MOSFET 将表现出色。

HUFA76429D3ST_F085参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 35A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.069Ω@VGS = 10 V,ID = 15 A,TJ = 175 °C
最大功率耗散 100W
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HUFA76429D3ST_F085厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUFA76429D3ST_F085数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUFA76429D3ST_F085 HUFA76429D3ST_F085数据手册

HUFA76429D3ST_F085封装设计

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